一种CIGS太阳能电池组件制造技术

技术编号:21034233 阅读:28 留言:0更新日期:2019-05-04 05:24
本实用新型专利技术提供了一种CIGS太阳能电池组件,涉及太阳能电池技术领域。包括:依次层叠敷设的基材层、芯片层和封装层,所述芯片层包括发电区域和清边区域,所述清边区域环绕所述发电区域设置,所述清边区域和所述发电区域连接处设有隔离结构,所述隔离结构用于对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离。本实用新型专利技术提供的CIGS太阳能电池组件中,隔离结构可对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离,即使清边区域在激光清边时发生短路,也不会对发电区域产生影响,使CIGS太阳能电池组件可以正常工作。

A CIGS Solar Cell Module

【技术实现步骤摘要】
一种CIGS太阳能电池组件
本技术涉及太阳能电池领域,具体而言,涉及一种CIGS(铜铟镓硒)太阳能电池组件。
技术介绍
CIGS薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观,尤其适合于高端建筑物的BIPV(光伏建筑一体化)玻璃幕墙。CIGS薄膜太阳能电池都需要对其进行清边处理。早期清边处理多采取喷砂的方法,即利用喷砂器对电池四周进行清除,喷砂清边采用F320刚玉颗粒撞击电池边缘,会损伤叠层结构,且刚玉颗粒直径较小,长时间工作对人呼吸系统伤害较大。目前多采用激光进行清边代替喷砂清边,但由于CIGS薄膜太阳能电池的背电极层与基底附着力较好,需采用较高功率(750W)的激光能量进行清边,其结果是在清边的区域内的部分会被熔融,从而形成短路没影响CIGS太阳能电池的正常使用。
技术实现思路
本技术提供了一种CIGS太阳能电池组件,旨在改善现有CIGS太阳能电池在进行清边时,清边的区域内的部分会被熔融,从而形成短路没影响CIGS太阳能电池的正常使用的问题。本技术是这样实现的:一种CIGS太阳能电池组件,包括:依次层叠敷设的基材层、芯片层和封装层,所述芯片层包括发电区域和清边区域,所述清边区域环绕所述发电区域设置,所述清边区域和所述发电区域连接处设有隔离结构,所述隔离结构用于对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述芯片层包括层叠设置的第一层和第二层,所述第一层靠近所述封装层,所述第二层靠近所述基材层,所述第一层包含有第一电极,所述第二层包含有第二电极,所述第一电极和所述第二电极的极性相反。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述隔离结构包括第一槽部、第二槽部,所述第一槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第一层,所述第二槽部设置于所述第一槽部底部,且所述第二槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第二层,所述第二槽部的宽度小于所述第一槽部的宽度。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述隔离结构还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一层和所述封装层之间,且盖设在所述第一槽部和所述清边区域之上。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述发电区域设有若干透光结构,所述透光结构用于增加所述电池组件的透光度。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述透光结构包括第三槽部和第四槽部,所述第三槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第一层,所述第四槽部设置于所述第三槽部底部,且所述第四槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第二层,所述第四槽部的宽度小于所述第三槽部的宽度。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述清边区域的宽度大于1mm。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述第一层包括沿所述基材层到所述封装层方向依次层叠敷设的吸收层、缓冲层和窗口层,所述窗口层为所述第一电极。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述第二层为金属Mo层,或金属Cr和Mo混合层。进一步地,在本技术较佳的实施例中,所述封装层包括沿所述基材层到所述封装层方向依次层叠敷设的引流条、胶膜层和透光层。本技术的有益效果是:本技术通过上述设计得到的CIGS太阳能电池组件,在发电区域和清边区域的连接处设有隔离结构,隔离结构可对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离,即使清边区域在激光清边时发生短路,也不会对发电区域产生影响,使CIGS太阳能电池组件可以正常工作。附图说明为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本技术实施例,一种CIGS太阳能电池组件的结构示意图;图2是本技术实施例,一种CIGS太阳能电池组件中芯片层的俯视图。图标:发电区域A;清边区域B;封装层1;透光层11;胶膜层12;引流条13;第一层2;窗口层21;缓冲层22;吸收层23;第二层3;基材层4;隔离结构5;绝缘层51;第一槽部52;第二槽部53;透光结构6;第三槽部61;第四槽部62。具体实施方式为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施方式中的附图,对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本技术一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本技术保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围,而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。实施例1,请参照图1-图2所示,本实施例提供一种CIGS太阳能电池组件,包括:依次层叠敷设的基材层4、芯片层和封装层1,芯片层包括发电区域A和清边区域B,清边区域B环绕发电区域A设置,清边区域B和发电区域A连接处设有隔离结构5,隔离结构5用于对清边区域B和发电区域A进行电性隔离。本实施例提供的CIGS太阳能电池组件,在发电区域A和清边区域B的连接处设有隔离结构5,隔离结构5可对清边区域B和发电区域A进行电性隔离,即使清边区域B本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIGS太阳能电池组件,其特征在于,包括:依次层叠敷设的基材层、芯片层和封装层,所述芯片层包括发电区域和清边区域,所述清边区域环绕所述发电区域设置,所述清边区域和所述发电区域连接处设有隔离结构,所述隔离结构用于对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离。

【技术特征摘要】
1.一种CIGS太阳能电池组件,其特征在于,包括:依次层叠敷设的基材层、芯片层和封装层,所述芯片层包括发电区域和清边区域,所述清边区域环绕所述发电区域设置,所述清边区域和所述发电区域连接处设有隔离结构,所述隔离结构用于对所述清边区域和所述发电区域进行电性隔离。2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件,其特征在于,所述芯片层包括层叠设置的第一层和第二层,所述第一层靠近所述封装层,所述第二层靠近所述基材层,所述第一层包含有第一电极,所述第二层包含有第二电极,所述第一电极和所述第二电极的极性相反。3.根据权利要求2所述的CIGS太阳能电池组件,其特征在于,所述隔离结构包括第一槽部、第二槽部,所述第一槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第一层,所述第二槽部设置于所述第一槽部底部,且所述第二槽部由所述封装层向所述基材层方向贯穿所述第二层,所述第二槽部的宽度小于所述第一槽部的宽度。4.根据权利要求3所述的CIGS太阳能电池组件,其特征在于,所述隔离结构还包括绝缘层,所述绝缘层设置于所述第一层和所述封装层之间,且盖设在所述第一槽部和...

【专利技术属性】
技术研发人员:邵传兵
申请(专利权)人:德州易能新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:山东,37

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