【技术实现步骤摘要】
一种纳米CdS/Si异质结的制备方法
本专利技术属于异质结制备
，特别是涉及一种纳米CdS/Si异质结的制备方法。
技术介绍
异质结是半导体器件的重要组成部分。随着纳米科技的发展，利用纳米结构的半导体制备异质结成为一项重要的研究课题。CdS是一种重要的II-VI族半导体化合物，常被用作异质结的n型材料。其中，纳米结构CdS是研究的一个热点。各个研究组都致力于将纳米结构CdS与Si相结合，构建CdS/Si异质结。目前通常是先利用化学方法制备纳米结构CdS，然后旋涂移植到Si片上，从而制备纳米结构CdS/Si异质结。或者，利用物理/化学气相沉积法，将CdS纳米结构沉积于Si片上构建CdS/Si异质结；此种方法在沉积之前，必须在Si片上蒸镀适量的金属催化剂(如金、镍等)。这些方法都会在CdS和Si之间引入中间层或者其他的原子，这样不利于异质结界面处载流子的传输，从而影响器件的性能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的缺陷，本专利技术提供了一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，该方法利用磁控溅射技术和溶剂热法，以单晶硅片为衬底，制备纳米CdS/Si异质结，该方法简单、高...
【技术保护点】
1.一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；步骤2，利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结。
【技术特征摘要】
1.一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1，以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si；步骤2，利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米CdS/Si异质结。2.根据权利要求1所述的纳米CdS/Si异质结的制备方法，其特征在于，所述步骤1的具体过程为：步骤101，将清洗干净的单晶硅片放入磁控溅射室的样品支架上，对磁控溅射室抽真空到10-6Pa，然后向磁控溅射室充入氩气，保持溅射室真空度为10-1Pa-100Pa；步骤102，调整Cd靶材和单晶硅片的距离为5.0cm，将样品支架加热到100℃，保持5min，使样品支架上的单晶硅片受热均匀；步骤103，设置溅射功率40W，打开Cd靶材的挡板，开始溅射，溅射时间180s，制备纳米结构Cd/Si；步骤104，保持磁控溅射室内压...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，姬鹏飞，宋月丽，周丰群，田明丽，袁书卿，
申请(专利权)人：平顶山学院，
类型：发明
国别省市：河南,41
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