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本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种纳米CdS/Si异质结的制备方法，该方法利用磁控溅射技术和溶剂热法，首先以单晶硅片为衬底，利用磁控溅射技术在Si片上沉积金属Cd，制备出纳米结构Cd/Si，然后利用溶剂热法腐蚀金属Cd制备纳米Cd...
该专利属于平顶山学院所有，仅供学习研究参考，未经过平顶山学院授权不得商用。

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