一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明专利技术还公开了制备具有特定波长光吸收峰值的半导体基片的方法。本发明专利技术通过设置的非均匀盲孔阵列可以合理调节特定波长段光子的吸收率,适用于太阳能光伏电池及光电探测器领域。具有结构简单，效率高的特点，适合批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片及其制备方法
本专利技术涉及一种半导体基片及其制备方法，尤其是涉及一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片及其制备方法。
技术介绍
现有技术中，尤其是在太阳能电池领域，通常在单晶硅片表面制备绒面以期提升光吸收率，绒面结构包括金字塔结构、纳米孔线结构等，而具有现有技术的这些结构的硅片中，相比于平板硅片，其通常在一个较大波长范围内对光吸收率都有一定的提升作用。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供了一种半导体基片，增强对特定波长的光的吸收率。本专利技术的另一个目的是提供一种半导体基片的光吸收峰波长的调节方法。本专利技术技术方案如下：一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。优选的，所述第一孔段和第二孔段均为圆柱孔段，所述第一孔段和第二孔段的轴线垂直于所述基片本体的表面。优选的，所述非均匀盲孔深度为2～20μm，直径为200～2000μm，相邻的非均匀盲孔间距为500～5000nm。优选的，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。

【技术特征摘要】
1.一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。2.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，所述第一孔段和第二孔段均为圆柱孔段，所述第一孔段和第二孔段的轴线垂直于所述基片本体的表面。3.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述非均匀盲孔深度为2～20μm，直径为200～2000μm，相邻的非均匀盲孔间距为500～5000nm。4.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，其特征在于，所述第一孔段和第二孔段的深度比值为0.2～5，第一孔段和第二孔段的直径比值为1.5～5.5。5.根据权利要求1所述的具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，...

【专利技术属性】
技术研发人员：况亚伟，刘玉申，王书昶，倪志春，魏青竹，徐大唐，马玉龙，冯金福，
申请(专利权)人：常熟理工学院，苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32