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本发明公开了一种具有特定波长光吸收峰值的半导体基片，包括基片本体，其特征在于，所述基片本体设有由表面向内部加工的非均匀盲孔，所述非均匀盲孔包括由所述基片本体的表面向内连续设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段直径大于第二孔段直径。本发明还公...
该专利属于常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司授权不得商用。

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