倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术提供倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法，属于晶体硅太阳能电池领域。倒金字塔绒面制备方法适于链式反应设备，包括：步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化，在硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑；步骤b.将步骤a得到的硅片使用硅腐蚀液处理，去除硅片表面的银颗粒；步骤c.将步骤b得到的硅片使用碱性溶液处理，将纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。通过一步法对硅片表面进行处理形成纳米级别的绒面，再利用碱性溶液与硅的各向异性反应特性对纳米绒面进行修饰从而形成亚微米的倒金字塔陷光结构。太阳能电池的制备方法包括对倒金字塔绒面制备方法制得的硅片进行加工。

Fabrication of Inverted Pyramid Suede and Solar Cells

The invention provides an inverted pyramid suede and a preparation method of a solar cell, belonging to the field of crystal silicon solar cells. The preparation method of inverted pyramid suede is suitable for chain reaction equipment, including: step A. Silver deposition and surface texturing of silicon wafer in pretreatment solution containing Ag+, HF and HNO 3, forming nanoscale corrosion pits containing silver particles on the surface of silicon wafer; step B. Silver particles on the surface of silicon wafer are removed by using silicon etching solution from step a; step C. silicon obtained from step B. The corrosion pit of nanometer scale was expanded to submicron inverted pyramid pit by alkaline solution treatment. The surface of silicon wafer was treated in one step to form nano-sized texture. Then the anisotropic reaction between alkaline solution and silicon was used to modify the nano-texture to form a sub-micron inverted pyramid trapping structure. The preparation method of solar cells includes processing silicon wafers prepared by the inverted pyramid suede preparation method.

【技术实现步骤摘要】
倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池领域，具体而言，涉及一种倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法。
技术介绍
在太阳能电池制备过程中，需要降低材料表面的反射率，使更多的太阳光入射进入硅材料，提高光电转换效率。在硅材料表面制备陷光结构是一种可行的方法，使得材料表面有更多的光学反射面，增加反射光重新吸收的机会，提高了材料整体的光吸收率。相关技术中，有利用掩膜-化学腐蚀的方法制备规则的倒金字塔陷光结构，也有通过激光雕刻的方法在单晶表面形成倒金字塔陷光结构。然而，上述相关技术均存在反射率较高、工艺复杂、成本较高等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种倒金字塔绒面及太阳能电池的制备方法，解决了在硅材料表面制备陷光结构工艺复杂的问题。本专利技术的实施例是这样实现的：第一方面，本专利技术实施例提供一种倒金字塔绒面制备方法，适于链式反应设备，包括：步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化，在硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑；步骤b.将步骤a得到的硅片使用硅腐蚀液处理，去除硅片表面的银颗粒；步骤c.将步骤b得到的硅片使用碱性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒金字塔绒面制备方法，适于链式反应设备，其特征在于，包括：步骤a.将硅片浸入含Ag

【技术特征摘要】
1.一种倒金字塔绒面制备方法，适于链式反应设备，其特征在于，包括：步骤a.将硅片浸入含Ag+、HF以及HNO3的预处理溶液中进行银沉积及表面织构化，在所述硅片表面形成含银颗粒的纳米级腐蚀坑；步骤b.将步骤a得到的所述硅片使用硅腐蚀液处理，去除所述硅片表面的所述银颗粒；步骤c.将步骤b得到的所述硅片使用碱性溶液处理，将所述纳米级腐蚀坑扩大为亚微米倒金字塔腐蚀坑。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅片表面的所述银颗粒的粒径为60～130nm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述预处理溶液中，所述Ag+的浓度为0.1～10mg/L，所述HF的浓度为1～100g/L，所述HNO3的浓度为4～400g/L，所述HNO3与所述HF的物质的量之比为1:0.3～3；和/或，步骤a中，反应温度为20～35℃，反应时间为30～120s。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱家梁，周肃，黄惜惜，黄青松，贾佳，张鑫义，勾宪芳，黄国平，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32