一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。本发明专利技术采用Si作为衬底，并采用应变GeSn作为肖特基接触的半导体部分，使肖特基二极管具有较高的电子迁移率，适用于微波无线传输系统等，可以提升能量转换效率；本发明专利技术的应力施加方式，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法。
技术介绍
肖特基二极管是由贵金属金、铝、银、铂等A为正极，以N型半导体B为负极，然后利用二者接触面之间上形成的势垒一种具有整流特性制成的金属半导体器件。肖特基二极管具有开关频率高、正向压降低等优点，肖特基二极管多用作高频、大电流整流二极管、低压、续流二极管、保护二极管、小信号检波二极管、微波通信等电路中作整流二极管等处使用。肖特基二极管在通信电源、变频器等中比较常见。特别是用于无线充电微波传输系统中个，肖特基二极管的电子迁移率直接决定了无线充电微波传输系统的能量转换效率。因此，如何提高肖特基二极管的电子迁移率已经成为该领域研究热点问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种用于微波无线充电的肖特基二极管的制备方法，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于微波无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种用于微波无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为N型单晶Si。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(b)包括：采用分子束外延工艺，在温度为90～100℃、基准压力为3×10-10torr的工艺条件下，选取纯度为99.9999％的GeH4和99.9999％的SnCl4分别作为Ge源和Sn源，在所述衬底上生长N型所述应变GeSn层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述应变GeSn层的厚度为700～800n...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雯，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61