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本发明涉及一种用于微波无线充电的肖特基二极管及其制备方法，包括如下步骤：(a)选取衬底；(b)在所述衬底上形成应变GeSn层；(c)在所述应变GeSn层上形成第一金属电极；(d)在所述衬底下表面形成第二金属电极。本发明采用Si作为衬底，并采...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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