一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构技术

本发明专利技术提供一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构，所述封装方法包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的射频器件片；S2：在器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除背衬底，并在器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；S4：在第二塑封层中形成与射频器件焊盘位置相对应的第一通孔；S5：继续形成暴露出焊盘的第二通孔；S6：于第一通孔及第二通孔中形成与焊盘连接的导电柱。本发明专利技术通过引入3D封装/晶圆级成型/穿塑孔工艺，可以降低工艺难度。另外，通过双面成型，避免了键合硅晶圆载片，可以彻底避免硅衬底对射频信号的吸收，避免谐波畸变或损耗风险，并且有效改善SOI器件的导热性能，提高封装后模组的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构
本专利技术属于芯片封装领域，涉及一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构。
技术介绍
在半导体技术中，目前很多产品都需要薄片(8英寸，晶圆厚度<＝150um)的处理方法。目前常用的方法有两种：一种是Disco的TaikoWafer方法；另一种是键合方法；两种方法的设备耗资巨大，而且两种方法需要的耗材费用也相当高，同时产量(Throughput)较低。在射频器件中，包括射频前端器件，由于衬底硅的吸收射频信号，会产生谐波畸变(harmonicdistortion)或谐波损耗(harmonicloss)，这样，射频信号的损失比较大，所以考虑将绝缘体上硅(SOI)硅片的硅衬底切除，减少因硅衬底的损耗，但是由于减薄后的硅片厚度比较薄，只能通过在器件(device)的正面键合(bonding)一片载片(carrierwafer)，以方便进行硅通孔(TSV)工艺将引线从背面引出。但是，这样的一个改进，由于载片目前还是使用硅晶圆，所以Q值提高有限；同时，由于把埋氧层(BOX)下面的硅衬底(Sisubstrate)去掉了，使得SOI器件的导热性变差了。现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的器件片，其中，所述器件片背面为所述SOI晶圆的背衬底，所述器件片中制造有多个射频器件，且所述射频器件设有焊盘；S2：在所述器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除所述背衬底，并在去除了所述背衬底的器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；S4：在所述第二塑封层中形成与所述焊盘位置相对应的第一通孔；S5：基于所述第一通孔在所述器件片中形成暴露出所述焊盘的第二通孔；S6：于所述第一通孔及第二通孔中形成与所述焊盘连接的导电柱。

【技术特征摘要】
1.一种射频SOI芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的器件片，其中，所述器件片背面为所述SOI晶圆的背衬底，所述器件片中制造有多个射频器件，且所述射频器件设有焊盘；S2：在所述器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除所述背衬底，并在去除了所述背衬底的器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第二塑封层；S4：在所述第二塑封层中形成与所述焊盘位置相对应的第一通孔；S5：基于所述第一通孔在所述器件片中形成暴露出所述焊盘的第二通孔；S6：于所述第一通孔及第二通孔中形成与所述焊盘连接的导电柱。2.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：所述第一塑封层的厚度范围是0.3-0.5mm，所述第二塑封层的厚度范围是0.1-0.5mm。3.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：于所述步骤S3中，去除所述背衬底包括：首先将所述背衬底减薄至预设厚度，然后通过湿法腐蚀去除剩余的所述背衬底。4.根据权利要求3所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在于：所述预设厚度为5-10μm。5.根据权利要求1所述的射频SOI芯片的封装方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆建刚，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11