温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种射频SOI芯片的封装方法及封装结构，所述封装方法包括以下步骤：S1：提供一基于SOI晶圆制造的射频器件片；S2：在器件片正面进行晶圆级环氧模塑料封装，得到第一塑封层；S3：去除背衬底，并在器件片背面进行晶圆级环氧模塑料封装，得...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。