温控炉制造技术

本申请涉及一种温控炉。所述温控炉包括所述炉体、所述温控装置和第一隔热装置。所述温控装置能够加热所述晶体，使所述晶体处于倍率温度。所述炉体将所述温控装置与外界环境隔绝，减少外界温度对所述温控装置的影响。所述第一隔热装置减小了所述温控装置向所述底座的热传导，减少了所述晶体的温度波动。所述温控炉通过设置所述炉体为所述晶体提供独立的加热空间。所述温控炉通过所述第一隔热装置减少所述晶体的热量传导损失。所述第一隔热装置设置于所述温控装置和所述底座之间。所述温控装置与所述炉体之间形成空气隔层。由于所述空气隔层的导热率低，所以所述温控装置的热损失较小，进而，所述温控炉能够使所述晶体的温度维持稳定。

Temperature control furnace

This application relates to a temperature control furnace. The temperature control furnace comprises the furnace body, the temperature control device and the first heat insulation device. The temperature control device can heat the crystal so that the crystal is at the rate temperature. The furnace body isolates the temperature control device from the external environment and reduces the influence of the external temperature on the temperature control device. The first heat insulation device reduces the heat conduction of the temperature control device to the base and reduces the temperature fluctuation of the crystal. The temperature control furnace provides an independent heating space for the crystal by setting the furnace body. The temperature control furnace reduces the heat conduction loss of the crystal through the first heat insulation device. The first heat insulation device is arranged between the temperature control device and the base. An air separator is formed between the temperature control device and the furnace body. Because the thermal conductivity of the air barrier is low, the heat loss of the temperature control device is small, and furthermore, the temperature control furnace can keep the temperature of the crystal stable.

【技术实现步骤摘要】
温控炉
本申请涉及激光
，特别是涉及一种温控炉。
技术介绍
随着激光器技术的迅速发展，激光被广泛应用到军事、医疗、工业和科学研究等领域。伴随着激光器的广泛应用，激光器相关技术也不断发展。激光倍频利用非线性晶体在强激光作用下的二次非线性效应，使频率为ω的激光通过晶体后变为频率为2ω的倍频光，称为倍频技术，或二次谐波振荡。如将波长1.06微米的激光通过倍频晶体，变成波长0.532微米的绿光。倍频技术扩大了激光的波段，可获得更短波长的激光。在激光器中,激光匹配二倍频、三倍频技术已广泛应用,这种方法的最大特点是结构简单,调整方便。晶体倍频技术最大缺点是晶体匹配角随温度变化，以至二倍频、三倍频光束能量不稳定。怎样维持激光倍频晶体的温度的稳定性是亟待解决的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对怎样维持激光倍频晶体的温度的稳定性的问题，提供一种温控炉。一种温控炉，包括炉体、温控装置和第一隔热装置。所述炉体包括底座和罩体。所述罩体扣合于所述底座。所述底座和所述罩体围构形成第一腔室。所述温控装置设置于所述第一腔室内，用于加热晶体。所述第一隔热装置设置于所述温控装置和所述底座之间。在一个实施例中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温控炉，其特征在于，包括：炉体(20)，包括底座(210)和罩体(220)，所述罩体(220)扣合于所述底座(210)，所述底座(210)和所述罩体(220)围构形成第一腔室(201)；温控装置(30)，设置于所述第一腔室(201)内，用于加热晶体(100)；第一隔热装置(40)，设置于所述温控装置(30)和所述底座(210)之间。

【技术特征摘要】
1.一种温控炉，其特征在于，包括：炉体(20)，包括底座(210)和罩体(220)，所述罩体(220)扣合于所述底座(210)，所述底座(210)和所述罩体(220)围构形成第一腔室(201)；温控装置(30)，设置于所述第一腔室(201)内，用于加热晶体(100)；第一隔热装置(40)，设置于所述温控装置(30)和所述底座(210)之间。2.如权利要求1所述的温控炉，其特征在于，所述第一隔热装置(40)包括多个隔热柱体(410)，所述多个隔热柱体(410)间隔支撑于所述温控装置(30)和所述底座(210)之间。3.如权利要求2所述的温控炉，其特征在于，还包括：第二隔热装置(50)，设置于所述温控装置(30)和所述罩体(220)之间。4.如权利要求3所述的温控炉，其特征在于，还包括：第一弹性元件(60)，设置于所述第二隔热装置(50)和所述罩体(220)之间，用于挤压固定所述温控装置(30)。5.如权利要求4所述的温控炉，其特征在于，所述第二隔热装置(50)的表面开设第一定位槽(510)，所述温控装置(30)的一端嵌设于所述第一定位槽(510)。6.如权利要求5所述的温控炉，其特征在于，所述第一弹性元件(60)选自弹片，所述第二隔热装置(50)远离所述温控装置(30)的表面开设第二定位槽(520)，所述弹片的中部与所述第二定位槽(520)的底面接触，所述弹片的两端抵接于所述罩体(220)。7.如权利要求1所述的温控炉，其特征在于，所述温控装置(30)还包括晶体座(310)，所述晶体座(310)包括：第一表面(301)，所述第一表面(301)开设有贯穿所述晶体座(310)相对的两个侧面的第一凹槽(311)，所述第一凹槽(311)用于收纳所述晶体(100)；第二表面(302)，与所述第一表面(301)相对设置，所述第一隔热装置(40)远离所述底座(210)的一端与所述第二表面(302)接触。8.如权利要求7所述的温控炉，其特征在于，还包括：第一固定装置(330)，设置于所述第二表面(302)，所述第一固定装置(330)开设多个第一通孔(331)；第二固定装置(340)，设置于所述第一固定装置(330)与所述第二隔热装置(50)之间，所述第二固定装置(340)与所述第一固定装置(330)相邻的表面开设有多个与所述第一通孔(331)对应的第二凹槽(341)；多个第二弹性元件(320)，所述第二弹性元件(320)的一端用于抵接于所述晶体(100)的表面，另一端通过所述第一通孔(33...

【专利技术属性】
技术研发人员：强瑞荣，苏鑫达，朱江杰，任戬，林戈，
申请(专利权)人：深圳市杰普特光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44