固体激光器装置、固体激光器系统以及曝光装置用激光装置制造方法及图纸

固体激光器装置具有：种子激光器，其输出作为CW激光的种子光；光强度可变部，其通过变更种子光的光强度而将种子光脉冲化，并作为种子脉冲光而输出；CW激励激光器，其输出CW激励光；放大器，其基于通过CW激励光的光激励而被增加的放大增益，将种子脉冲光放大，并作为放大光输出；波长转换部，其对放大光进行波长转换，并输出谐波光；以及光强度控制部，其根据外部触发信号的输入对光强度可变部进行控制，光强度控制部在每次外部触发信号输入时，在从外部触发信号输入起经过一定时间之后使光强度可变部输出种子脉冲光，在从种子脉冲光输出之后起至下一个外部触发信号输入为止的期间内使光强度可变部输出抑制放大增益的增加的抑制光。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固体激光器装置、固体激光器系统以及曝光装置用激光装置
本公开涉及一种固体激光器装置、固体激光器系统以及曝光装置用激光装置。
技术介绍
随着半导体集成电路的精细化、高集成化，要求半导体曝光装置中分辨率的提高。在下文中将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，一直推进着从曝光用光源输出的光的短波长化。对于曝光用光源，使用气体激光装置来代替以往的水银灯。目前，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长为193.4nm的紫外线的ArF准分子激光装置来作为曝光用激光装置。作为目前的曝光技术，已实际应用了下述的液浸曝光，使液体填满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙，改变该间隙的折射率，由此，使曝光用光源所表现出来的波长短波长化。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，向晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡下的谱线宽度为大约350～400pm宽，因此，通过曝光装置侧的投影透镜而被缩小投影到晶片上的激光(紫外线光)会产生色像差，从而导致分辨率下降本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固体激光器装置，其具有：种子激光器，其输出作为CW激光的种子光；光强度可变部，其通过变更所述种子光的光强度而将所述种子光脉冲化，并作为种子脉冲光而输出；CW激励激光器，其输出CW激励光；放大器，其基于通过所述CW激励光的光激励而增加后的放大增益将所述种子脉冲光放大，并作为放大光而输出；波长转换部，其对所述放大光进行波长转换，并输出谐波光；以及光强度控制部，其根据外部触发信号的输入而对所述光强度可变部进行控制，所述光强度控制部在每次输入了外部触发信号时，在从外部触发信号的输入起经过一定时间之后使所述光强度可变部输出所述种子脉冲光，在从所述种子脉冲光的输出后起至下一个外部触发信号的输入为止...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.07 JP PCT/JP2016/0613581.一种固体激光器装置，其具有：种子激光器，其输出作为CW激光的种子光；光强度可变部，其通过变更所述种子光的光强度而将所述种子光脉冲化，并作为种子脉冲光而输出；CW激励激光器，其输出CW激励光；放大器，其基于通过所述CW激励光的光激励而增加后的放大增益将所述种子脉冲光放大，并作为放大光而输出；波长转换部，其对所述放大光进行波长转换，并输出谐波光；以及光强度控制部，其根据外部触发信号的输入而对所述光强度可变部进行控制，所述光强度控制部在每次输入了外部触发信号时，在从外部触发信号的输入起经过一定时间之后使所述光强度可变部输出所述种子脉冲光，在从所述种子脉冲光的输出后起至下一个外部触发信号的输入为止的期间内使所述光强度可变部输出抑制所述放大增益的增加的抑制光。2.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述一定时间是固定值。3.根据权利要求2所述的固体激光器装置，其中，根据所述谐波光的脉冲能量，将所述固定值设定在所述光强度控制部中。4.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述光强度控制部在从外部触发信号的输入起至经过所述一定时间为止的期间内，使所述光强度可变部抑制所述种子光的透过，以使所述放大增益增加。5.根据权利要求4所述的固体激光器装置，其中，通过使所述抑制光输入到所述放大器而生成的次级光的光强度小于所述波长转换部的波长转换阈值。6.根据权利要求5所述的固体激光器装置，其中，所述波长转换阈值是如下光强度：在该光强度下，所述波长转换部的波长转换效率为1％～2％的范围内的值。7.根据权利要求5所述的固体激光器装置，其中，所述波长转换阈值是如下光强度：在该光强度下，所述波长转换部的波长转换效率为0％～0.01％的范围内的值。8.根据权利要求5所述的固体激光器装置，其中，所述波长转换阈值由第一光强度与第二光强度之比来表示，并且所述波长转换阈值是如下值：在该值下，所述第二光强度相对于所述第一光强度的比在0％～10％的范围内，其中，所述第一光强度是通过所述波长转换部对所述放大光进行波长转换而生成的谐波光的光强度，所述第二光强度是通过所述波长转换部对所述次级光进行波长转换而生成的谐波光的光强度。9.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述抑制光是CW激光或脉冲激光。10.根据权利要求9所述的固体激光器装置，其中，所述光强度控制部在所述种子脉冲光的输出后的一定期间内，使所述抑制光的光强度逐渐增大。11.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述光强度可变部是光闸或半导体光放大器。12.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述放大器包括掺Yb固体放大器和掺Yb光纤放大器中的至少一种。13.根据权利要求1所述的固体激光器装置，其中，所述波长转换部包含LBO晶体、BBO晶体、CLBO晶体以及KBBF晶体中的至少一种，生成2次以上的谐波光。14.一种固体激光器系统，具有第一固体激光器装置、第二固体激光器装置以及和频波长转换部，其中，所述第一固体激光器装置包括：第一种子激光器，其输出作为CW激光的第一种子光；第一光强度可变部，其通过变更所述第一种子光的光强度而将所述第一种子光脉冲化，并作为第一种子脉冲光而输出；第一CW激励激光器，其输出第一CW激励光；第一放大器，其基于通过所述第一CW激励光的光激励而增加后的放大增益将所述第一种子脉冲光放大，并作为第一放大光而输出；以及第一光强度控制部，其根据外部触发信号的输入而对所述第一光强度可变部进行控制，所述第一光强度控制部在每次输入了外部触发信号时，在从外部触发信号的输入起经过一定时间之后使所述第一光强度可变部输出所述第一种子脉冲光，在从所述第一种子脉冲光的输出后起至下一个外部触发信号的输入为止的期间内使所述第一光强度可变部输出抑制所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野濑贵士，若林理，
申请(专利权)人：极光先进雷射株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP