有机发光二极管阵列基板及其制造方法技术

一种有机发光二极管阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：于基板上依序形成半导体层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层；于所述第一绝缘层上形成第一金属图案，所述第一金属图案通过通孔连接所述栅极；于所述第一绝缘层上形成覆盖所述第一金属图案的第二绝缘层；以及于所述第二绝缘层上形成一第二金属图案，使第二金属图案与第一金属图案相互重叠平行而构成一电容。

Organic Light Emitting Diode Array Substrate and Its Manufacturing Method

An organic light emitting diode array substrate and a manufacturing method thereof comprise: forming a semiconductor layer, a gate insulating layer, a gate and a first insulating layer in sequence on the substrate; forming a first metal pattern on the first insulating layer; connecting the first metal pattern with the gate through a hole; and forming a covering metal pattern on the first insulating layer. The second insulating layer and the second metal pattern formed on the second insulating layer make the second metal pattern overlap and parallel with the first metal pattern to form a capacitor.

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及显示领域，特别是涉及一种有机发光二极管阵列基板及其制造方法。
技术介绍
由于OLED显示面板相对于LCD面板具有自发光、结构简单、广视角、色饱和度高、反应速度快、轻薄等优点，越来越多的具备显示器的产品开始采用OLED面板，如智能手机及可穿戴装置等。随着OLED面板的大规模商业应用，人们对OLED的性能要求更高，例如要求高亮度、高效率、低能耗、高稳定性等。基于上述对OLED的要求，提高OLED阵列布局的电学性能显得尤为重要。目前，主流的OLED阵列是采用7T1C(七个薄膜晶体管与一电容)的像素电路，如图1所示，其中现有技术是采用薄膜晶体管T1的栅电极作为电容C1的下极板。为满足更优的电学性能，会需要电容C1具有较大的电容值。电容C1的电容值与电容面积以及介电常数成正比，与电极板之间距离成反比。若想增加电容值，现有技术通常是通过以下三种方式进行：增大存储电容面积、增加介电常数或缩小电极板之间距离。缩小电极板之间距离会导致介电层厚度减小，有击穿风险；介电常数则主要与材料相关，因此最可行的办法为增大电容面积。然而，现有的像素结构由于对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于包括步骤：于一基板上依序形成半导体层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层，所述半导体层包含有源区、源极区和漏极区；于所述第一绝缘层形成通孔，以局部裸露所述栅极；于所述第一绝缘层上对应所述栅极的位置形成第一金属图案，使所述第一金属图案通过所述通孔连接所述栅极；于所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述第一金属图案；以及于所述第二绝缘层上对应所述第一金属图案的位置形成一第二金属图案，使第二金属图案与第一金属图案相互重叠平行而构成一电容。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于包括步骤：于一基板上依序形成半导体层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层，所述半导体层包含有源区、源极区和漏极区；于所述第一绝缘层形成通孔，以局部裸露所述栅极；于所述第一绝缘层上对应所述栅极的位置形成第一金属图案，使所述第一金属图案通过所述通孔连接所述栅极；于所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以覆盖所述第一金属图案；以及于所述第二绝缘层上对应所述第一金属图案的位置形成一第二金属图案，使第二金属图案与第一金属图案相互重叠平行而构成一电容。2.如权利要求1所述的有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于进一步包含下列步骤：于所述第二绝缘层上形成层间介电层，以覆盖所述第二金属图案；以及于所述层间介电层上形成第三金属图案。3.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于：所述于所述层间介电层上形成第三金属图案的步骤包括：在对应所述源极区和漏极区的位置形成穿过所述栅极绝缘层、第一绝缘层、第二绝缘层及层间介电层的第一过孔；以及于所述层间介电层上形成至少两个第三金属图案，使所述第三金属图案通过所述第一过孔分别连接所述源极区和漏极区。4.如权利要求2所述的有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于进一步包含下列步骤：于所述层间介电层上形成平坦层，以覆盖所述第三金属图案；以及于所述平坦层上形成有机发光二极管及像素定义层。5.如权利要求4所述的有机发光二极管阵列基板的制造方法，其特征在于：所述于所述平坦层上形成有机发光二极管及像素定义层的步骤包括：形成穿过所述平坦层的第二过孔，以裸露连接所述漏极区的所述第三金属图案；形成所述有机发光二极管的第一电极于所述平坦层，使所述第一电极通过所述第二过孔连接所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：白思航，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42