阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，阵列基板具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；阵列基板包括柔性基板和阵列层；所述阵列层包括阵列基层，具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽对应于像素区中的非像素单元区；第二凹槽对应于弯折区；以及填充层，填充于所述第一凹槽和第二凹槽内；以及有机介电层，覆于阵列基层与填充层上，有机介电层和填充层所用材料均为有机光阻材料。本发明专利技术的阵列基板及其制作方法、具有该阵列基板的显示装置，有效降低了阵列基板中各膜层在弯折时的应力，能够实现像素区的弯折。

Array Substrate and Its Fabrication Method and Display Device

The invention discloses an array substrate, its fabrication method and display device, which has a bending area and a pixel area adjacent to the bending area, a pixel area having several pixel unit areas and a non-pixel unit area connected to the pixel unit area, an array substrate comprising a flexible substrate and an array layer, and an array layer comprising an array base layer having a first groove and a second groove. One groove corresponds to the non-pixel unit area in the pixel area; the second groove corresponds to the bending area; and the filling layer is filled in the first groove and the second groove; and the organic dielectric layer is coated on the array base and the filling layer. The materials used in the organic dielectric layer and the filling layer are organic photoresistive materials. The array substrate, its fabrication method and the display device with the array substrate of the invention effectively reduce the stress of each film layer in the array substrate during bending, and realize the bending of the pixel region.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示装置等领域，具体为一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode)显示屏以其自发光，广视角、高对比度、响应速度快等特点成为当前显示主流趋势。当前，随着人们对极致显示体验的追求，全面屏、窄边框等成为当前显示领域中的开发热点。而柔性OLED显示屏更是炙手可热，成为一种潮流，其具有众多优点，屏幕超薄超轻，体积更小，在携带方面更加方便，客户体验感更强。目前市面上还未出现全柔的显示屏手机，仅在弯折区域进行部分弯折，现有技术中的柔性OLED显示屏，一般在弯折区域将无机膜层进行刻蚀，将有机光阻对其进行填充，这种结构，在像素区较难做到弯折。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种阵列基板及其制作方法、具有该阵列基板的显示装置，通过有机光阻材料取代传统的介电层的材料，并在像素区设置第一凹槽，在弯折区设置第二凹槽，且第一凹槽和第二凹槽内均填充有机光阻材料，以有效降低阵列基板中各膜层在弯折时的应力，能够实现像素区的弯折。为解决上述技术问题：提供一种阵列基板，具有弯折区和与弯折区相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，所述像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；其特征在于，所述阵列基板包括柔性基板和阵列层，所述阵列层覆于所述柔性基板上；所述阵列层包括阵列基层，具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应于所述像素区中的所述非像素单元区；所述第二凹槽对应于所述弯折区；填充层，填充于所述第一凹槽和第二凹槽内；以及有机介电层，覆于所述阵列基层与所述填充层上，所述有机介电层和所述填充层所用材料均为有机光阻材料。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，所述像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；其特征在于，所述阵列基板包括柔性基板和阵列层，所述阵列层覆于所述柔性基板上；所述阵列层包括阵列基层，具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽对应于所述像素区中的所述非像素单元区；所述第二凹槽对应于所述弯折区；填充层，填充于所述第一凹槽和第二凹槽内；以及有机介电层，覆于所述阵列基层与所述填充层上，所述有机介电层和所述填充层所用材料均为有机光阻材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二凹槽在所述阵列基层内形成台阶结构。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列层还包括钝化层，覆于所述有机介电层上，且对应于所述像素区；平坦层，覆于所述钝化层上以及所述有机介电层上；以及像素限定层，覆于所述平坦层上。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的所用材料为氮化硅，厚度小于或等于3000埃米；所述有机介电层的厚度为1um-1.8um，所述有机介电层的杨氏模量小于或等于5Gpa，所述有机介电层的耐热温度在350℃-500℃。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基层包括阻挡层，覆于所述柔性基板上；缓冲层，覆于所述阻挡层上；第一栅绝缘层，覆于所述缓冲层上；以及第二栅绝缘层，覆于所述第一栅绝缘层上；所述有机介电层覆于所述第二栅绝缘层上；在所述像素区，所述阵列层还包括半导体层，设于所述缓冲层上，且所述第一栅绝缘层完全包覆所述半导体层；第一栅极层，设于所述第一栅绝缘层上，且所述第二栅绝缘层完全包覆所述第一栅极层；第二栅极层，设于所述第二栅绝缘层上，且所述有机介电层覆于所述第二栅极层上；源漏极接触孔，从所述有机介电层贯穿至所述缓冲层的内部；源极和漏极，覆于所述有机介电层上且分别通过对应的所述源漏极接触孔延伸并连接至所述半导体层；所述钝化层覆于所述源极和所述漏极上；阳极接触孔，从所述平坦层贯穿所述钝化层并延伸至所述漏极的表面；阳极走线，覆于所述平坦层上且通过所述阳极接触孔延伸并连接至所述漏极；开槽，贯穿于整个所述像素限定层，且对应于所述阳极走线；以及发光层，填充于所述开槽中；在所述弯折区，所述阵列基板还设有源漏极走线，覆于所述有机介电层上；所述平坦层覆于所述源漏极走线与所述有机介电层上。6.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板具有弯折区和与弯折区相邻的像素区，所述像素区具有若干像素单元区和连接于所述像素单元区的非像素单元区；其特征在于，包括以下步骤：S1)提供一柔性基板；S2)在所述柔性基板上形成阵列基层；S3)在所述阵列基层上形成第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽对应于所述像素区中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡俊艳，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42