一种核壳量子点及其制备方法、电子器件技术

本发明专利技术公开了一种核壳量子点及其制备方法、电子器件。其中核壳量子点制备方法，包括以下步骤：S1，提供待包覆量子点，待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子，第一阳离子包括至少一种阳离子，第一阴离子包括至少一种阴离子；S2，使用混合阴离子前体处理待包覆量子点，混合阴离子前体包括第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体，第二阴离子包括至少一种阴离子；S3，提纯经步骤S2处理的待包覆量子点后，进行壳层的包覆，壳层包括第二阳离子以及第二阴离子，第二阳离子包括至少一种阳离子。本发明专利技术利用核层和壳层的阴离子混合来处理经提纯的量子点核，经混合阴离子处理后，再进行壳层的包覆，可以显著提高核壳量子点的光致和电致发光性能。

A Core-Shell Quantum Dot and Its Preparation Method and Electronic Devices

The invention discloses a core-shell quantum dot, a preparation method thereof and an electronic device. The preparation method of core-shell quantum dots includes the following steps: S1, providing the quantum dots to be coated, the external surface of the quantum dots to be coated includes the first cation and the first anion, the first cation includes at least one cation, and the first anion includes at least one anion; S2, using mixed anion precursor to treat the quantum dots to be coated, and the mixed anion precursor includes the first anion. The precursor of the son and the precursor of the second anion, the second anion comprising at least one anion; S3, after purifying the quantum dot to be coated by C2, the shell includes the second cation and the second anion, and the second anion includes at least one cation. The purified quantum dot core is treated by mixing anions of core and shell, and then coated by mixed anions. The photoluminescence and Electroluminescence Properties of core-shell quantum dots can be significantly improved.

【技术实现步骤摘要】
一种核壳量子点及其制备方法、电子器件
本专利技术涉及量子点材料
，尤其涉及一种核壳量子点及其制备方法、电子器件。
技术介绍
近些年来，量子点材料由于发光效率高、激发范围广、发射光谱窄、颜色波长可调等特点，在生物技术、太阳能电池和发光二极管等方面的应用受到越来越来的关注。作为量子点材料第二代发光技术，量子点电致发光(QLED)更是近年来的研究热点。量子点技术经过几十年的积累，目前光致发光效率基本都可以达到90％以上，量子点的光致应用也取得很大的进展，如方兴未艾的量子点光学膜电视。量子点在电致应用上，虽然红绿蓝QLED的EQE基本可以做到20％左右，达到甚至媲美OLED器件的水平，但是器件寿命上还有很大的差距，尤其是绿光和蓝光QLED。目前蓝色QLED在最低视频亮度(100cd·m-2)寿命一般为几百小时，还远未达到最低的商业化标准要求(10000小时)。为了解决QLED的短板，就必须深入研究量子点合成生长以及激子耦合发光机理，一方面在量子点合成上，得到没有内部和表面缺陷的量子点，另一方面从器件结构上调配载流子注入平衡。单纯的核量子点，如CdSe，虽然效率可以做到很高，但是核量子点本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核壳量子点制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供待包覆量子点，所述待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子，所述第一阳离子包括至少一种阳离子，所述第一阴离子包括至少一种阴离子；S2，使用混合阴离子前体处理所述待包覆量子点，所述混合阴离子前体包括所述第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体，所述第二阴离子包括至少一种阴离子；S3，提纯经所述步骤S2处理的所述待包覆量子点后，进行壳层的包覆，所述壳层包括第二阳离子以及所述第二阴离子，所述第二阳离子包括至少一种阳离子。

【技术特征摘要】
1.一种核壳量子点制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，提供待包覆量子点，所述待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子，所述第一阳离子包括至少一种阳离子，所述第一阴离子包括至少一种阴离子；S2，使用混合阴离子前体处理所述待包覆量子点，所述混合阴离子前体包括所述第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体，所述第二阴离子包括至少一种阴离子；S3，提纯经所述步骤S2处理的所述待包覆量子点后，进行壳层的包覆，所述壳层包括第二阳离子以及所述第二阴离子，所述第二阳离子包括至少一种阳离子。2.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述第一阳离子与所述第二阳离子分别独立地选自以下一种或多种元素的阳离子：Cd、Zn、In、Ga、Cu、Ag、Pb、Hg。3.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述第一阴离子与所述第二阴离子分别独立地选自以下一种或多种元素的阴离子：S、Se、Te、P、As。4.根据权利要求1所述的核壳量子点制备方法，其特征在于，所述步骤S2中所述混合阴离子前体中所述第一阴离子与所述第二阴离子的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡保忠，
申请(专利权)人：纳晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33