一种焊料隔离结构以及电子器件制造技术

本发明专利技术公开了一种焊料隔离结构以及电子器件，其中焊料隔离结构，包括位于焊接载体上表面的中间连续镀金环区、断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，中间连续镀金环区为焊接环，断续的内镀金环区与中间连续镀金环区不相交且位于中间连续镀金环区的内侧，断续的外镀金环与中间连续镀金环区不相交且位于中间连续镀金环区的外侧，断续的内镀金环区、断续的外镀金环区包括多个不相交的独立镀金区，相邻镀金区之间通过毛细效应吸附焊料并阻止焊料穿过。通过焊接载体上表面的中间连续镀金环区的内侧和外侧设置断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，通过毛细效应吸附焊料并阻止焊料穿过，实现对焊料的隔离和限制，提高了产品的良品率。

A Solder Isolation Structure and Electronic Devices

The invention discloses a solder isolation structure and an electronic device, in which the solder isolation structure comprises a continuous gold-plated ring zone in the middle, a intermittent inner gold-plated ring zone and a intermittent outer gold-plated ring zone on the surface of the welding carrier, a welding ring in the middle, a discontinuous inner gold-plated ring zone which is not intersected with the continuous gold-plated ring zone in the middle and is located in the inner side of the continuous gold-plated ring zone in the middle. The intermittent external gold-plated ring is not intersected with the continuous gold-plated ring area in the middle and is located on the outer side of the continuous gold-plated ring area in the middle. The intermittent internal gold-plated ring area and the intermittent external gold-plated ring area include several disjoint independent gold-plated zones. The capillary effect is used to absorb solders between adjacent gold-plated zones and prevent solders from passing through. By installing intermittent inner and outer gold-plated rings on the inner and outer sides of the continuous gold-plated rings on the surface of the welding carrier, capillary effect is used to absorb the solder and prevent the solder from passing through, so as to realize the isolation and restriction of the solder and improve the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种焊料隔离结构以及电子器件
本专利技术涉及晶圆级封装
，特别是涉及一种焊料隔离结构以及电子器件。
技术介绍
由于各种半导体MEMS器件晶圆级真空封装与传统的金属封装、陶瓷封装相比具有封装结构简单、体积小、成本低、真空寿命长等特点，MEMS行业封装形式已经开始向晶圆级封装转变，晶圆级封装最关键的技术是晶圆级键合。一般而言，晶圆级键合的经典结构为将芯片晶圆与窗口晶圆高度对准键合，通过芯片和窗口上预先镀制的焊料及金属镀层完成焊接，再将键合完成晶圆切割为单颗探测器产品。相应的，高效率、低成本的晶圆级键合技术和工艺是降低半导体器件生产成本，提高产品的良品率，进而提高产品竞争力的有力途径。晶圆级封装的封装密封区域一般为合金焊料与镀金区焊接，焊料在镀金区浸润良好，同时因其流动性过好会出现焊料溢出严重，甚至导致探测器报废的严重不良，进而提高了探测器的单位成本，不利于提高产品的竞争力。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种焊料隔离结构以及电子器件，有效改善晶圆级封装过程中焊料溢出严重的问题，将焊料控制在预期范围内，有效提升晶圆级封装的良品率及产品性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种焊料隔离结构，其特征在于，包括位于焊接载体上表面的中间连续镀金环区、断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，所述中间连续镀金环区为焊接环，所述断续的内镀金环区与所述中间连续镀金环区不相交且位于所述中间连续镀金环区的内侧，所述断续的外镀金环与所述中间连续镀金环区不相交且位于所述中间连续镀金环区的外侧，所述断续的内镀金环区、所述断续的外镀金环区包括多个不相交的独立镀金区，相邻所述镀金区之间通过毛细效应吸附焊料并阻止所述焊料穿过。

【技术特征摘要】
1.一种焊料隔离结构，其特征在于，包括位于焊接载体上表面的中间连续镀金环区、断续的内镀金环区、断续的外镀金环区，所述中间连续镀金环区为焊接环，所述断续的内镀金环区与所述中间连续镀金环区不相交且位于所述中间连续镀金环区的内侧，所述断续的外镀金环与所述中间连续镀金环区不相交且位于所述中间连续镀金环区的外侧，所述断续的内镀金环区、所述断续的外镀金环区包括多个不相交的独立镀金区，相邻所述镀金区之间通过毛细效应吸附焊料并阻止所述焊料穿过。2.如权利要求1所述焊料隔离结构，其特征在于，所述独立镀金区的形状为圆形、椭圆形或长方形。3.如权利要求2所述焊料隔离结构，其特征在于，所述断续的内镀金环区、所述断续的外镀金环区为单层非连续镀金环区镀金环或双层非连续镀金环区镀金环。4.如权利要求3所述焊料隔离结构，其特征在于，所述断续的内镀金环区中的多个所述独立镀金区的面积总和与所述断续的内镀金环区的面积比大于等于70％，和/或所述断续的外镀金环区中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘敏，陈文祥，孙俊杰，杨秀武，李超，
申请(专利权)人：烟台艾睿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37