用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法技术

本发明专利技术公开了用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法，清洗硅片，得到干净疏水的硅片表面，用氮气吹干；再在硅片表面蒸镀一层氧化钒薄膜；然后在200‑250℃下于管式炉中用氮气进行退火。该方法通过蒸镀的方法将氧化钒粉末沉积在硅片表面，具有成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点。

Passivation of Single Crystal Silicon Surface by Vanadium Oxide

The invention discloses a method for passivating the surface of monocrystalline silicon by vanadium oxide, cleaning the silicon wafer, obtaining a clean and hydrophobic silicon wafer surface, drying it with nitrogen, evaporating a layer of vanadium oxide film on the surface of the silicon wafer, and annealing it in a tubular furnace at 200 250 C with nitrogen. This method deposits vanadium oxide powder on silicon wafer surface by evaporation. It has the advantages of simple film forming method, high purity and compactness of the film, and unique structure and properties of the film.

【技术实现步骤摘要】
用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法
本专利技术属于太阳能级硅片的制造
，特别涉及到单晶硅表面钝化问题，通过加入氧化钒(V2O5)来实现硅片的有效钝化，从而提高少数载流子的寿命。
技术介绍
太阳能是最有价值的清洁能源之一，太阳电池作为太阳能应用的最有效途径，一直备受各界关注。目前，单晶硅(c-Si)太阳电池由于其较高的转换效率已经成为工业主流。有效的降低生产成本使太阳电池薄片化成为发展的必然趋势，提高转换效率也更是当务之急，这时钝化技术应运而生。即通过在硅太阳电池表面沉积薄膜或利用化学反应等钝化方法降低少数载流子的复合情况，增加太阳电池的短路电流和开路电压，进而达到提高太阳电池光电转换效率的目的。单晶硅太阳电池的表面钝化在光伏领域占有越来越重要的地位，良好的表面钝化效果是高效率太阳电池的必备条件。硅太阳电池低器件性能的主要原因是器件表面的强的载流子复合作用。硅太阳电池减小表面复合主要有两个有效途径：一个是通过补偿在单晶硅表面处的硅氧键和硅氢键等悬挂键来减少载流子的复合，称为“化学钝化”；另一个是通过降低单晶硅表面处的电子一空穴对数来减少载流子的复合，称为“场效应钝化”。近年来，为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法，其特征在于：清洗硅片，得到干净疏水的硅片表面，用氮气吹干；再在硅片表面蒸镀一层氧化钒V2O5薄膜；然后在200‑250℃下于管式炉中用氮气N2进行退火。

【技术特征摘要】
1.用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法，其特征在于：清洗硅片，得到干净疏水的硅片表面，用氮气吹干...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕华，芮哲，陆肖励，
申请(专利权)人：浙江师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33