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本发明公开了用氧化钒对单晶硅表面进行钝化的方法，清洗硅片，得到干净疏水的硅片表面，用氮气吹干；再在硅片表面蒸镀一层氧化钒薄膜；然后在200‑250℃下于管式炉中用氮气进行退火。该方法通过蒸镀的方法将氧化钒粉末沉积在硅片表面，具有成膜方法简单...
该专利属于浙江师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江师范大学授权不得商用。

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