The invention discloses a preparation method of an improved SiC planar MOSFET device. A low doping epitaxy layer of tens of nanometers is grown on the surface of traditional MOSFET epitaxy, and the doping concentration is 1e14cm.
【技术实现步骤摘要】
一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法
本专利技术涉及功率半导体领域，特别是一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法。
技术介绍
相比于传统的硅材料，碳化硅作为第三代半导体，具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场强度和更高的热导率。基于碳化硅材料的功率MOSFET(SiCMOSFET)更适合应用于高频和高温等应用环境中。而且SiCMOSFET可以通过热氧化工艺形成表面栅氧化层，可以和传统的硅工艺基本相融。但是SiO2/SiC表面具有很高的界面态密度，这会极大的降低器件沟道的迁移率，增加沟道电阻，进而增加器件的导通电阻。近几年来，国内外许多研究机构通过各种方法的改进来降低SiO2/SiC表面的界面态密度，提高沟道的载流子迁移率。但是载流子的迁移率仍然很低(一般小于几十cm2/V.s)。这使得器件的比导通电阻很难进一步降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，该结构能够减弱SiO2/SiC表面高界面态和掺杂杂质对沟道迁移率的影响，从而提高沟道载流子迁移率，降低了沟道电阻，提升了器件的性能。实现本专利技术目的的技...
【技术保护点】
1.一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备外延层；在外延层的表面生长SiC本征层；在外延层表面通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成P阱区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成N+源极区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺P+源极接触区域；通过热氧化工艺形成栅氧化层；通过多晶硅淀积工艺在栅氧化层表面形成多晶硅，并通过多晶硅刻蚀工艺形成多晶硅电极；淀积栅源隔离介质，并通过刻蚀工艺打开源极接触孔；金属化工艺形成漏极和源极欧姆接触；淀积隔离介质，并打开栅极和源极加厚金属接触孔；形成隔离的源电极和栅电极；器件上表面覆盖保护介质，并开孔使栅极和源极外接。
【技术特征摘要】
1.一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备外延层；在外延层的表面生长SiC本征层；在外延层表面通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成P阱区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺形成N+源极区域；通过掩膜淀积、光刻、刻蚀和注入工艺P+源极接触区域；通过热氧化工艺形成栅氧化层；通过多晶硅淀积工艺在栅氧化层表面形成多晶硅，并通过多晶硅刻蚀工艺形成多晶硅电极；淀积栅源隔离介质，并通过刻蚀工艺打开源极接触孔；金属化工艺形成漏极和源极欧姆接触；淀积隔离介质，并打开栅极和源极加厚金属接触孔；形成隔离的源电极和栅电极；器件上表面覆盖保护介质，并开孔使栅极和源极外接。2.根据权利要求1所述的改进型SiC平面MOSFET器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏松，杨同同，黄润华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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