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本发明公开了一种改进型SiC平面MOSFET器件的制备方法，在传统MOSFET外延表面生长了一层几十纳米的低掺杂外延层，掺杂浓度在1e14cm...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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