电子器件制造过程中的掩膜层结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种掩膜层结构，包括基底、覆于基底表面的第一覆层和形成于第一覆层中的第一窗口区，第一窗口区的侧壁覆有第二覆层。通过本实用新型专利技术形成比第一窗口更窄的第二窗口区，使后续的离子注入过程在更窄的第二窗口区内进行，最终可以实现缩减离子注入区的尺寸，达到了与采用昂贵的高等级光刻机同样的工艺水平，大幅节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
电子器件制造过程中的掩膜层结构
本技术涉及一种电子器件制造过程，尤其是在该过程中形成的掩膜层的结构。
技术介绍
SiC功率器件制造工艺包含零层光刻、离子注入、牺牲氧化层、电介质层、肖特基接触、欧姆接触、前层金属、背面金属等工艺流程。其中，作为制造工序中最为重要的一道工序，离子注入工序的工艺水平代表了SiC芯片制造水平，直接影响器件的性能。当今SiC量产晶圆以四寸和六寸为主，制造工艺也是围绕四寸和六寸晶圆来进行的，生产过程中普遍采用的光刻机的光刻水平(最小分辨率)大部分维持在1.5um左右。这就直接决定了SiC器件的离子注入区的设计尺寸必须要在1.5um以上，从而在很大程度上限制了SiC器件的设计空间，无法最大程度发挥SiC器件的潜力。附图中的图1-5是现有SiC离子注入传统工艺基本流程：图1：SiC衬底，1为重掺第一类型掺杂层N+sub，2为轻掺杂第一类型掺杂层N-sub；图2：通过化学气相沉积在SiC衬底表面沉积一层厚度为H1(H1＝1～3um)的SiO2覆层3；图3：通过铺光刻胶、曝光、显影、刻蚀工艺将显开区域厚度为H1的SiO2覆层刻蚀，在SiO2覆层中形成宽度为S、相互间距为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件制造过程中的掩膜层结构，包括基底、覆于所述基底表面的第一覆层和形成于所述第一覆层中的第一窗口区，其特征在于：所述第一窗口区的侧壁覆有第二覆层。

【技术特征摘要】
1.一种电子器件制造过程中的掩膜层结构，包括基底、覆于所述基底表面的第一覆层和形成于所述第一覆层中的第一窗口区，其特征在于：所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：武济，张振中，林盛杰，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44