离子注入方法及掩膜层结构技术

本发明专利技术提供一种离子注入方法，包括在基底材料表面形成第一覆层和第一窗口区的过程，还包括以下过程：在第一窗口区的表面形成第二覆层，并形成第二窗口区；在暴露于第二窗口区内的基底材料表面进行离子注入。本发明专利技术还提供一种掩膜层结构，包括基底、覆于基底表面的第一覆层和形成于第一覆层中的第一窗口区，第一窗口区的侧壁覆有第二覆层。通过本发明专利技术形成比第一窗口更窄的第二窗口区，使离子注入在更窄的第二窗口区内进行，最终实现缩减离子注入区的尺寸，达到了与采用昂贵的高等级光刻机同样的工艺水平，大幅节约了成本。

【技术实现步骤摘要】
离子注入方法及掩膜层结构
本专利技术涉及一种离子注入方法，尤其是一种低成本的离子注入方法，以及在该工艺方法实施过程中形成的掩膜层的结构。
技术介绍
SiC功率器件制造工艺包含零层光刻、离子注入、牺牲氧化层、电介质层、肖特基接触、欧姆接触、前层金属、背面金属等工艺流程。其中，作为制造工序中最为重要的一道工序，离子注入工序的工艺水平代表了SiC芯片制造水平，直接影响器件的性能。当今SiC量产晶圆以四寸和六寸为主，制造工艺也是围绕四寸和六寸晶圆来进行的，生产过程中普遍采用的光刻机的光刻水平(最小分辨率)大部分维持在1.5um左右。这就直接决定了SiC器件的离子注入区的设计尺寸必须要在1.5um以上，从而在很大程度上限制了SiC器件的设计空间，无法最大程度发挥SiC器件的潜力。附图中的图1-5是现有SiC离子注入传统工艺基本流程：图1：SiC衬底，1为重掺第一类型掺杂层N+sub，2为轻掺杂第一类型掺杂层N-sub；图2：通过化学气相沉积在SiC衬底表面沉积一层厚度为H1(H1＝1～3um)的SiO2覆层3；图3：通过铺光刻胶、曝光、显影、刻蚀工艺将显开区域厚度为H1的SiO2覆层刻蚀，在S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子注入方法，包括在基底材料表面形成第一覆层、并在第一覆层中形成第一窗口区的过程，其特征在于：还包括以下过程：在第一覆层中形成第一窗口区之后，在第一窗口区的表面形成第二覆层；然后保留第一窗口区内的第二覆层的竖直部分、去除第一窗口区内的第二覆层的水平部分，形成第二窗口区；在暴露于第二窗口区内的基底材料表面进行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种离子注入方法，包括在基底材料表面形成第一覆层、并在第一覆层中形成第一窗口区的过程，其特征在于：还包括以下过程：在第一覆层中形成第一窗口区之后，在第一窗口区的表面形成第二覆层；然后保留第一窗口区内的第二覆层的竖直部分、去除第一窗口区内的第二覆层的水平部分，形成第二窗口区；在暴露于第二窗口区内的基底材料表面进行离子注入。2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于：保留第二覆层的竖直部分、去除第二覆层的水平部分的过程采用各向异性处理方法。3.根据权利要求2所述的离子注入方法，其特征在于：保留第二覆层的竖直部分、去除第二覆层的水平部分的过程采用干法刻蚀。4.根据权利要求1、2或3所述的离子注入方法，其特征在于：在离子注入之后将第一覆层和第二覆层去除。5.根据权利要求4所述的离子注入方法，其特征在于：去除第一覆层和第二覆层的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：武济，张振中，林盛杰，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44