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本发明提供一种离子注入方法，包括在基底材料表面形成第一覆层和第一窗口区的过程，还包括以下过程：在第一窗口区的表面形成第二覆层，并形成第二窗口区；在暴露于第二窗口区内的基底材料表面进行离子注入。本发明还提供一种掩膜层结构，包括基底、覆于基底表...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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