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本实用新型提供一种掩膜层结构，包括基底、覆于基底表面的第一覆层和形成于第一覆层中的第一窗口区，第一窗口区的侧壁覆有第二覆层。通过本实用新型形成比第一窗口更窄的第二窗口区，使后续的离子注入过程在更窄的第二窗口区内进行，最终可以实现缩减离子注入...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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