一种用于SiC器件的离子注入方法技术

本发明专利技术公开一种用于SiC器件的离子注入方法。方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入，该方法还包括：在SiC材料表面形成用于离子注入的缓冲层；对缓冲层进行光刻形成离子注入的图案化层；以及利用图案化层进行离子注入。

An Ion Implantation Method for SiC Devices

The invention discloses an ion implantation method for a SiC device. The method includes: ion implantation at a predetermined angle of grazing incidence at room temperature. The method also includes: forming a buffer layer for ion implantation on the surface of SiC material; photolithography of the buffer layer to form a patterned layer for ion implantation; and ion implantation using the patterned layer.

【技术实现步骤摘要】
一种用于SiC器件的离子注入方法
本专利技术涉及半导体工艺领域。更具体地，涉及一种用于SiC器件的离子注入方法。
技术介绍
当前，传统的硅基电力电子器件的水平基本上维持在109-1010W·Hz，已逼近了因寄生二极管制约而能达到的硅材料的极限。为了突破目前的器件极限，一般选择采用宽能带间隙材料的半导体器件，如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)器件。碳化硅材料具有优良的物理和电学特性，以其宽的禁带宽度、高的热导率、大的饱和漂移速度和高的临界击穿电场等独特优点，成为制作大功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想半导体材料。由于SiC原子结构中C-Si键键能较高，杂质扩散所要求的温度(>1800℃)大大超过标准器件工艺的条件，传统的扩散掺杂工艺已经不能用于SiC的掺杂，离子注入技术成为了目前唯一适合于SiC材料的选择性掺杂技术，是pin二极管、JBS、MOSFET、JFET及IGBT等器件制备以及结终端保护工艺中形成P型SiC的有效手段。由于SiC比Si具有更大的密度，在同能量注入下，离子在SiC中能形成的注入深度会更小。如果注入离子在SiC材料中达到较深的注入区域，其注入能量可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入。

【技术特征摘要】
1.一种用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入。2.如权利要求1所述的用于SiC器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法还包括：在进行所述离子注入前，在SiC材料表面形成用于离子注入的缓冲层；以及对所述缓冲层进行光刻形成离子注入的图案化层。3.如权利要求1或2所述的用于SiC器件的离子注入方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱继红，蔺增金，张志文，
申请(专利权)人：北京燕东微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11