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本发明公开一种用于SiC器件的离子注入方法。方法包括：在常温下以预定角度的掠射角进行离子注入，该方法还包括：在SiC材料表面形成用于离子注入的缓冲层；对缓冲层进行光刻形成离子注入的图案化层；以及利用图案化层进行离子注入。...
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