易失性存储器存储装置及其刷新方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种易失性存储器存储装置，包括存储器阵列、刷新电路以及预程序化电路。存储器阵列包括多个存储器区块。刷新电路耦接至存储器阵列。刷新电路用以依据不同的刷新频率对存储器区块进行刷新操作。预程序化电路耦接至刷新电路。预程序化电路用以存储刷新频率。另外，一种易失性存储器存储装置的刷新方法也被提出。

Vulnerable Memory Storage Device and Its New Refresh Method

The invention provides a volatile memory storage device, which comprises a memory array, a refresh circuit and a preprogrammed circuit. The memory array includes a plurality of memory blocks. The refresh circuit is coupled to the memory array. The refresh circuit is used to refresh memory blocks according to different refresh frequencies. The preprogrammed circuit is coupled to the refresh circuit. Preprogrammed circuits are used to store refresh frequencies. In addition, a refreshing method for VRAM storage devices is also proposed.

【技术实现步骤摘要】
易失性存储器存储装置及其刷新方法
本专利技术涉及一种存储器存储装置及其操作方法，尤其涉及一种易失性存储器存储装置及其刷新方法。
技术介绍
近来，行动装置愈来愈受欢迎。由于行动装置的电池寿命要尽可能地愈长愈好，因此，其中的电子元件的功率消耗需求要尽可能地愈小愈好。对传统的易失性存储器(例如，动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM))而言，其自我刷新电流(self-refreshcurrent)的功率消耗必须足够小以符合行动装置的需求。在现有技术中，已有许多降低自我刷新电流的技术方案被提出。然而，这些技术方案各有其优缺点，虽然降低了自我刷新电流，但却又衍生出其他问题。因此，如何降低存储器装置的自我刷新电流又兼顾其他性能是本领域技术人员的重要课题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种易失性存储器存储装置及其刷新方法，其存储器区块(memorybank)具有不同的刷新频率，可降低自我刷新电流。本专利技术的易失性存储器存储装置包括存储器阵列、刷新电路以及预程序化电路。存储器阵列包括多个存储器区块。刷新电路耦接至存储器阵列。刷新电路用以依据不同的刷新频率对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种易失性存储器存储装置，包括：存储器阵列，包括多个存储器区块；刷新电路，耦接至所述存储器阵列，用以依据不同的刷新频率对所述多个存储器区块进行刷新操作；以及预程序化电路，耦接至所述刷新电路，用以存储所述多个刷新频率。

【技术特征摘要】
1.一种易失性存储器存储装置，包括：存储器阵列，包括多个存储器区块；刷新电路，耦接至所述存储器阵列，用以依据不同的刷新频率对所述多个存储器区块进行刷新操作；以及预程序化电路，耦接至所述刷新电路，用以存储所述多个刷新频率。2.根据权利要求1所述的易失性存储器存储装置，其中所述多个存储器区块当中的至少一个存储器区块的刷新频率与所述多个存储器区块当中的其他存储器区块的刷新频率不相同。3.根据权利要求2所述的易失性存储器存储装置，其中所述多个存储器区块包括一或多个第一存储器区块以及一或多个第二存储器区块，所述多个刷新频率包括第一频率以及第二频率，以及所述刷新电路依据所述第一刷新频率对所述一或多个第一存储器区块进行所述刷新操作，并且所述刷新电路依据所述第二刷新频率对所述一或多个第二存储器区块进行所述刷新操作，其中所述第一频率以及所述第二频率不相同。4.根据权利要求1所述的易失性存储器存储装置，其中所述预程序化电路包括电子熔丝以及可以雷射烧断的金属熔丝两者其中之一。5.根据权利要求1所述的易失性存储器存储装置，其中所述多个刷新频率不高于预设的频率值。6.根据权利要求1所述的易失性存储器存储装置，其中所述多个刷新频率成倍数关系。7.一种易失性存储器存储装置的刷新方...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志菁，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71