刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置，该方法通过在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号，并在背离前表面的背表面的测试点获取输出的电信号，以根据预设电信号和输出的电信号，计算出刻蚀后硅片的边缘电阻。本发明专利技术实施例提供的一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置，能够对所有刻蚀后的硅片进行测试，提高测试效率和测试数据的准确度，进而提高生产效率和产品良率。

Testing method and device for edge resistance of etched silicon wafer

The embodiment of the present invention provides a method and device for measuring the edge resistance of etched silicon wafer. The method inputs a preset electrical signal at the test point on the front surface of etched silicon wafer and obtains the output electrical signal at the test point away from the back surface of the front surface to calculate the edge resistance of etched silicon wafer according to the preset electrical signal and the output electrical signal. The embodiment of the invention provides a testing method and device for edge resistance of etched silicon wafers, which can test all etched silicon wafers, improve testing efficiency and accuracy of testing data, and thereby improve production efficiency and product yield.

【技术实现步骤摘要】
刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法及装置
本专利技术实施例涉及数据检测
，尤其涉及一种刻蚀后硅片边缘电组的测试方法及装置。
技术介绍
太阳能电池是通过光电效应直接把光能转换成电能的装置。其中，太阳能电池根据所用材料不同可分为：硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池、塑料太阳能电池，其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的，在应用中居主导地位。当前，硅太阳能电池包括晶体硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。其中，晶体硅太阳能电池又可分为单晶硅电池和多晶硅电池。晶体硅太阳能电池的制备工艺步骤包括：清洗、制绒、扩散、边缘刻蚀、镀膜、印刷、烧结、电池片测试等。然而，刻蚀是晶体硅太阳能电池生产过程中的一个重要工序，这是由于扩散过程中，硅片的外围表面的导电类型发生变化，通过刻蚀去除硅片边缘的PN结及清洗硅片表面的磷硅玻璃层，能够避免硅片前表面和背表面通电时发生短路。为验证刻蚀的效果，现有技术中，通过人工在固定时间从下料端取出硅片，使用电表对硅片进行测试，以判定硅片是否合格。但是，通过人工取片对硅片进行抽检的方式，监控数据量少，存在漏检风险。同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法，其特征在于，包括：硅片经刻蚀工艺后，在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号；获取背离所述前表面的背表面的测试点输出的电信号；根据所述预设电信号和所述输出的电信号，计算所述刻蚀后硅片的边缘电阻的测试阻值。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试方法，其特征在于，包括：硅片经刻蚀工艺后，在刻蚀后硅片的前表面的测试点输入预设电信号；获取背离所述前表面的背表面的测试点输出的电信号；根据所述预设电信号和所述输出的电信号，计算所述刻蚀后硅片的边缘电阻的测试阻值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：根据所述测试阻值和标准阻值的比较结果，确定所述刻蚀后硅片的品质。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述测试阻值和标准阻值的比较结果，确定所述刻蚀后硅片的品质，包括：在所述测试阻值大于所述标准阻值时，确定所述刻蚀后硅片合格；在所述测试阻值小于所述标准阻值时，确定所述刻蚀后硅片异常。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述测试阻值小于所述标准阻值时，确定所述刻蚀后硅片异常之后，还包括：控制所述刻蚀后硅片重新返回制程起点，对所述刻蚀后硅片进行返工处理。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述测试阻值大于所述标准阻值时，确定所述刻蚀后硅片合格之后，还包括：控制所述刻蚀后硅片流转至刻蚀工艺后的下一工序。6.根据权利要求1～5任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀后硅片为四边形；所述前表面的测试点包括位于所述前表面的边缘的至少8个测试点；所述背表面的测试点与所述前表面的测试点一一对应设置。7.一种刻蚀后硅片边缘电阻的测试装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：高凤海，费正洪，李栋，
申请(专利权)人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，阿特斯阳光电力集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32