变压器制造技术

本实用新型专利技术公开一种变压器，其中，该变压器包括：主体部，该主体部包括磁芯以及围绕磁芯绕制的初级绕组层及次级绕组层，该初级绕组层及次级绕组层相耦合形成第一共模电流，以及屏蔽绕组层，该屏蔽绕组层设于主体部的外侧面，当屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于次级绕组层；当屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于初级绕组层；由屏蔽绕组层与相邻的绕组层产生与第一共模电流相位相反，大小相等的第二共模电流，可以将第一共模电流于变压器内抵消，起到降低共模噪声的作用，并且屏蔽绕组层设置在主体部的最外层，使得变压器的调试非常地的方便。

【技术实现步骤摘要】
变压器
本技术涉及电源
，特别涉及一种变压器。
技术介绍
变压器中的初级绕组层与次级绕组层存在电位差，会在线圈之间产生共模噪声，使得电源的EMI(电磁干扰)特性变差。目前，为了达到降低共模噪声目的，通常需要调整设置在初级绕组层与次级绕组层之间屏蔽层参数，由于绕线时线圈的松紧度和电子器件散杂等参数的影响，屏蔽绕组层的圈数和宽度无法精准地计算，因此在实际的作业中必须要对变压器的绕组反复拆装、调整、测试才能达到比较满意的效果，采用传统绕制方法的变压器必须拆装至少两个绕组才能进行调试，因此使得调试操作烦锁，调试耗时长。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种变压器，旨在更方便调节变压器的共模噪声。为实现上述目的，本技术提出一种变压器，该变压器包括：主体部，所述主体部包括磁芯以及围绕所述磁芯绕制的初级绕组层及次级绕组层，所述初级绕组层与次级绕组层相耦合形成第一共模电流；以及屏蔽绕组层，所述屏蔽绕组层设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述初级绕组层，以使所述屏蔽绕组层与相邻设置的绕组层形成与所述第一共模电流大小相等，相位相反的第二共模电流。优选地，所述屏蔽绕组层包括屏蔽线，所述屏蔽线绕设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽线电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽线电连接于所述初级绕组层。优选地，所述屏蔽线电连接于所述初级绕组层或次级绕组层的动点或静点，所述屏蔽线沿所述动点或所述静点，顺时针或逆时针绕制于所述主体部的外侧面，以使所述屏蔽线与相邻设置的绕组层产生第二共模电流。优选地，所述屏蔽线于所述主体部的外侧面绕制一层。优选地，所述屏蔽绕组层包括铜皮屏蔽层，所述铜皮屏蔽层围设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该铜皮屏蔽层电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该铜皮屏蔽层电连接于所述初级绕组层。优选地，所述变压器还包括绝缘层，所述绝缘层间隔设于所述初级绕组层、次级绕组层以及所述屏蔽绕组层之间。优选地，与所述屏蔽绕组层相邻设置的所述初级绕组层或所述次级绕组层的线圈为双层密绕，满绕。优选地，所述次级绕组层的线圈为非满绕。优选地，所述变压器还包括开关，所述开关电连接于所述初级绕组层。优选地，所述变压器还包括二极管，所述二极管电连接于所述次级绕组层。本技术技术方案通过将屏蔽绕组层设置在变压器的最外层，使得调试变压器的共模噪声更方便；具体地，该变压器包括：主体部，该主体部包括磁芯以及围绕磁芯绕制的初级绕组层及次级绕组层，该初级绕组层及次级绕组层相耦合形成第一共模电流；以及屏蔽绕组层，该屏蔽绕组层设于主体部的外侧面，当屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于次级绕组层；当屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于初级绕组层；该变压器的屏蔽绕组层设置在变压器的最外侧，并且与非相邻的绕组层电连接，且该绕组层的极性与屏蔽绕组层相邻的绕组层极性不同，如此屏蔽绕组层与其相邻的绕组层形成了第二共模电流，通过调整该屏蔽绕组层的参数可以改变第二共模电流的大小和相位，使得第二共模电流与第一共模电流相位相反大小相等，可以降低甚至消除变压器中的共模电流，以达到减小变压器中共模噪声的目的，由于屏蔽绕组层设置在变压器的最外层，因此相对于现有技术，本技术无需再拆卸至少两层的线圈，使得调试非常地的方便。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为变压器采用现有技术顺序绕法的结构示意图；图2为变压器采用现有技术三明治绕法的结构示意图；图3为变压器采用现有技术顺序绕法的电路示意图；图4为本技术一种变压器采用顺序绕法的结构示意图；图5为本技术一种变压器采用三明治绕法的结构示意图；图6为图4的电路分析图；图7为图4的电压分析图；图8为图5的电路分析图；图9为图5的电压分析图。附图标号说明：标号名称标号名称100变压器113磁芯11主体部12屏蔽绕组层111初级绕组层13绝缘层112次级绕组层本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，在本技术中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。本技术提出一种变压器100。该变压器100，包括了主体部11，该主体部11包括磁芯113以及围绕磁芯113绕制的初级绕组层111及次级绕组层112，初级绕组层111与次级绕组层112相耦合形成第一共模电流；以及屏蔽绕组层12，屏蔽绕组层12设于主体部11的外侧面，当屏蔽绕组层12的相邻层为初级绕组层111时该屏蔽绕组层12电连接于次级绕组层112；当屏蔽绕组层12的相邻层为次级绕组层112时该屏蔽绕组层12电连接于初级绕组层111。请参见图1至图3，现有技术中顺序绕法以及三明治绕法的变压器100中的屏蔽绕组层12一般都设置初级绕组层111与次级绕组层112之间，该屏蔽绕组层12的接地，用以将初级绕组层111和次级绕组层112之间产生的高频电压差导向地面，从而起到降低共模噪声的目的；请参见图3和图4本技术的变压器100包括：主体部11，该主体部11包括磁芯113以及围绕磁芯113绕制的初级绕组层111及次级绕组层112，初级绕组层111及次级绕组层112相耦合形成第一共模电流，该变压器100还包括屏蔽绕组层12，该屏蔽绕组层12设于主体部11的外侧面，当屏蔽绕组层12的相邻层为初级绕组层111时该屏蔽绕组层12电连接于次级绕组层112，当屏蔽绕组层12的相邻层为次级绕组层112时该屏蔽绕组层12电连接于初级绕组层111，如此将屏蔽绕组层12设置在变压器100的最外侧，屏蔽绕组层12与非相邻的绕组层电连接，且该绕组层的极性与屏蔽绕组层12相邻的绕组层极性不同，如此屏蔽绕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种变压器，其特征在于，包括：主体部，所述主体部包括磁芯以及围绕所述磁芯绕制的初级绕组层及次级绕组层，所述初级绕组层与次级绕组层相耦合形成第一共模电流；以及屏蔽绕组层，所述屏蔽绕组层设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述初级绕组层，以使所述屏蔽绕组层与相邻设置的绕组层形成与所述第一共模电流大小相等，相位相反的第二共模电流。

【技术特征摘要】
1.一种变压器，其特征在于，包括：主体部，所述主体部包括磁芯以及围绕所述磁芯绕制的初级绕组层及次级绕组层，所述初级绕组层与次级绕组层相耦合形成第一共模电流；以及屏蔽绕组层，所述屏蔽绕组层设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽绕组层电连接于所述初级绕组层，以使所述屏蔽绕组层与相邻设置的绕组层形成与所述第一共模电流大小相等，相位相反的第二共模电流。2.如权利要求1所述的变压器，其特征在于：所述屏蔽绕组层包括屏蔽线，所述屏蔽线绕设于所述主体部的外侧面，当所述屏蔽绕组层的相邻层为初级绕组层时该屏蔽线电连接于所述次级绕组层；当所述屏蔽绕组层的相邻层为次级绕组层时该屏蔽线电连接于所述初级绕组层。3.如权利要求2所述的变压器，其特征在于：所述屏蔽线电连接于所述初级绕组层或次级绕组层的动点或静点，所述屏蔽线沿所述动点或所述静点，顺时针或逆时针绕制于所述主体部的外侧面，以使所述屏蔽线与相邻设置的绕组...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈成辉，刘志成，
申请(专利权)人：TCL通力电子惠州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44