【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及电子设备
本专利技术的一个实施方式涉及一种显示装置及电子设备。注意,本专利技术的一个实施方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个实施方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本专利技术的一个实施方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。具体而言,本专利技术的一个实施方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。在本说明书等中,半导体装置是指通过利用半导体特性而能够工作的所有装置。晶体管等半导体元件、半导体电路、运算装置及存储装置都是半导体装置的实施方式。摄像装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、电光装置、发电装置(包括薄膜太阳能电池及有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
作为可用于晶体管的半导体材料,氧化物半导体受到瞩目。例如,已公开了如下半导体装置:层叠有多个氧化物半导体层,在该多个氧化物半导体层中,被用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓,并且铟的比率比镓的比率高,由此提高场效应迁移率(有时,简单地称为迁移率或μFE)的半导体装置(参照专利文献1)。将氧化物半导体晶体管用于液晶显示器及有机电致发光(electroluminescence:EL)显示器等显示装置的技术受到注目。氧化物半导体晶体管的关态电流(off-statecurrent)极低。专利文献2及专利文献3公开了通过利用该极低关态电流特性降低显示静态图像时的刷新频度,来降低液晶显示器或有机EL显 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置,包括:像素部;以及驱动所述像素部的驱动电路,其中,所述驱动电路包括第一晶体管,所述像素部包括第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的像素电极,所述第一晶体管包括第一栅电极、所述第一栅电极上的被用作沟道的第一金属氧化物膜以及所述第一金属氧化物膜上的第二栅电极,所述第一栅电极及所述第二栅电极彼此电连接,所述第二晶体管包括被用作沟道的第二金属氧化物膜,所述像素电极包括第三金属氧化物膜,所述第三金属氧化物膜包括氢浓度比所述第二金属氧化物膜高的区域,所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括In、Zn及元素M,所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括第一区域及第二区域,所述第一区域包括In或者Zn、以及氧,所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧,并且,所述第一区域及所述第二区域以马赛克状分散或者分布。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.12 JP 2016-178106;2016.09.20 JP 2016-183321.一种显示装置,包括:像素部;以及驱动所述像素部的驱动电路,其中,所述驱动电路包括第一晶体管,所述像素部包括第二晶体管及与所述第二晶体管电连接的像素电极,所述第一晶体管包括第一栅电极、所述第一栅电极上的被用作沟道的第一金属氧化物膜以及所述第一金属氧化物膜上的第二栅电极,所述第一栅电极及所述第二栅电极彼此电连接,所述第二晶体管包括被用作沟道的第二金属氧化物膜,所述像素电极包括第三金属氧化物膜,所述第三金属氧化物膜包括氢浓度比所述第二金属氧化物膜高的区域,所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括In、Zn及元素M,所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括第一区域及第二区域,所述第一区域包括In或者Zn、以及氧,所述第二区域包括In或者所述元素M、以及氧,并且,所述第一区域及所述第二区域以马赛克状分散或者分布。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第一金属氧化物膜及所述第二晶体管上设置有绝缘膜,所述第二金属氧化物膜位于栅极绝缘膜上,所述第三金属氧化物膜及所述第二栅电极位于所述绝缘膜上,并且所述第三金属氧化物膜在所述绝缘膜的开口中与所述第二晶体管电连接。3.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第二晶体管上依次层叠有第一绝缘膜及第二绝缘膜,所述第一绝缘膜位于所述第一金属氧化物膜上,所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的每一个在所述第二晶体管上包括开口,所述第二金属氧化物膜位于栅极绝缘膜上,所述第二栅电极位于所述第一绝缘膜上,所述第三金属氧化物膜位于所述第二绝缘膜上,并且,所述第三金属氧化物膜在所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜的开口中与所述第二晶体管电连接。4.根据权利要求3所述的显示装置,其中所述第一绝缘膜包括无机绝缘膜,并且所述第二绝缘膜包括有机树脂膜。5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二晶体管包括第三栅电极及所述第三栅电极与所述第二金属氧化物膜之间的栅极绝缘膜,并且所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜位于所述栅极绝缘膜上。6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第三金属氧化物膜的氢浓度为1×1020atoms/cm3以上。7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜的每一个包括In、M及Zn原子的总和中In的含量为40%以上且50%以下的区域及In、M及Zn原子的总和中M的含量为5%以上且30%以下的区域,并且所述元素M为镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一个或多个。8.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第三金属氧化物膜中,In、M及Zn的原子个数比为4:x:y,其中x为1.5以上且2.5以下且y为2以上且4以下,并且所述元素M为镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一个或多个。9.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第一金属氧化物膜、所述第二金属氧化物膜及所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,肥冢纯一,冈崎健一,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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