TFT的制备方法、TFT、OLED背板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种TFT的制备方法、TFT、OLED背板和显示装置，本发明专利技术实施例中方法包括：利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层；在遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层；将栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层；对第一半导体层进行等离子处理处理，使得第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层；依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层。本发明专利技术实施例中可以降低平坦化层的厚度，提升了曝光工艺的准确度，增加TFT对应的OLED发光区的平坦度。

【技术实现步骤摘要】
TFT的制备方法、TFT、OLED背板和显示装置
本专利技术涉及半导体材料
，具体涉及一种TFT的制备方法、TFT、OLED背板和显示装置。
技术介绍
OLED即有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode)，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器，被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。喷墨打印工艺的OLED器件，需要发光区的表面越平坦越好，这样OLED层就可以膜厚均一，但是通常薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)基板会有各种走线和过孔，造成起伏。通常的TFT基板都会制作平坦化层(Planarizationlayer，PLN)，对于平整度要求较高的喷墨打印(InkjetPrinter，IJP)来讲，PLN需要做的很厚，一方面浪费材料，另一方面材料太厚曝光工艺也比较难控制，材料的杂质含量增加，影响TFT性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种TFT的制备方法、TFT、OLED背板和显示装置，使得可以降低平坦化层的厚度，提升了曝光工艺的准确度，增加TFT对应的OLED发光区的平坦度。为解决上述问题，第一方面，本申请本专利技术一种TFT的制备方法，所述方法包括：利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层；在所述遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层；将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层；对所述第一半导体层进行等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层；依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层；其中，所述遮光层包括第一遮光区，所述第二半导体层的宽度小于所述第一遮光区的宽度。进一步的，所述遮光层包括还包括第二遮光区，所述第二遮光区位于所述像素定义层的像素开口区域下方。进一步的，所述利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层的步骤包括：涂覆一层亚克力类或者聚酰亚胺的黑色光阻材料，并利用黄光定义图形，形成遮光层。进一步的，所述遮光层厚度为0.5～4μm。进一步的，所述在所述遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层的步骤，包括：在所述遮光层之上沉积一层多层结构薄膜，作为缓冲层；沉积一层金属氧化物半导体材料作为第一半导体层，并蚀刻图形；沉积一多层结构薄膜，作为第一栅极绝缘层；沉积一层金属作为栅极金属层。进一步的，所述将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层的步骤，包括：利用一道黄光，蚀刻出栅极金属层的图形；利用栅极金属层的图形为自对准，蚀刻所述栅极绝缘层，将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层。进一步的，所述对所述第一半导体层进行等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层的步骤，包括：对所述第一半导体层进行N2等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成N离子导体层，剩余的形成第二半导体层。进一步的，所述依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层的步骤，包括：沉积层间绝缘层，并进行黄光和蚀刻出开口；在所述层间绝缘层的开口内沉积一层金属作为源漏极金属层；在所述源漏极金属层之上沉积钝化层；利用在所述钝化层之上制作平坦化层，并利用黄光接触孔；在所述平坦化层之上制作像素电极以及像素定义层。进一步的，所述平坦化层的厚度为0.5～2μm。第二方面，本申请提供一种TFT，所述TFT包括：玻璃基板；遮光层；制备于所述玻璃基板表面，所述遮光层为黑色光阻材料制备，所述遮光层包括第一遮光区；缓冲层，制备于所述遮光层表面；半导体层，制备于所述缓冲层表面，所述半导体层的宽度小于所述第一遮光区的宽度；导体区，制备于所述半导体层两侧；栅极绝缘层，制备于所述半导体层之上；栅极金属层，制备于所述栅极绝缘层之上；层间介质层，覆盖所述栅极金属层和所述缓冲层，并在所述导体区上方对应设置两个开口；源漏金属层，包括源极金属区和漏极金属区，分别设置于所述层间介质层之间的两个开口内；钝化层，制备于层间介质层表面，覆盖所述源漏金属层；平坦化层，制备于所述钝化层之上，其中，所述漏极金属区之上的所述钝化层和所述平坦化层除形成开口；像素电极层，制备于所述平坦化层之上，以及所述钝化层和所述平坦化层的开口内；像素定义层，制备于所述像素电极层之上，并填充满所述钝化层和所述平坦化层除形成的开口。进一步的，所述遮光层包括还包括第二遮光区，所述第二遮光区位于所述像素定义层的像素开口区域下方。进一步的，所述遮光层厚度为0.5～4μm。进一步的，所述平坦化层的厚度为0.5～2μm。进一步的，所述半导体层为N离子导体层。第三方面，本申请提供一种OLED背板，包括如第二方面中任一项所述的TFT。第四方面，本申请提供一种显示装置包括如第三方面中所述的OLED背板。本专利技术实施例方法利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层；在遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层；将栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层；对第一半导体层进行等离子处理处理，使得第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层；依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层。本专利技术实施例中在玻璃基板上采用黑色光阻材料制备遮光层，一方面由于遮光层不是金属材料，不用连接讯号，不需要对缓冲层进行专门的开洞工艺，同时由于第二半导体层的宽度小于遮光层中第一遮光区的宽度，保护了沟道的半导体层不被光照射，使得可以降低平坦化层的厚度，提升了曝光工艺的准确度，增加TFT对应的OLED发光区的平坦度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种TFT的制备方法的一个实施例流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种TFT的一个实施例结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TFT的制备方法，其特征在于，所述方法包括：利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层；在所述遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层；将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层；对所述第一半导体层进行等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层；依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层；其中，所述遮光层包括第一遮光区，所述第二半导体层的宽度小于所述第一遮光区的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种TFT的制备方法，其特征在于，所述方法包括：利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层；在所述遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层；将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层；对所述第一半导体层进行等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层；依次沉积层间绝缘层、源漏极金属层、钝化层、平坦化层、像素电极层以及像素定义层；其中，所述遮光层包括第一遮光区，所述第二半导体层的宽度小于所述第一遮光区的宽度。2.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述遮光层包括还包括第二遮光区，所述第二遮光区位于所述像素定义层的像素开口区域下方。3.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述利用黑色光阻材料在玻璃基板上形成遮光层的步骤包括：涂覆一层亚克力类或者聚酰亚胺的黑色光阻材料，并利用黄光定义图形，形成遮光层。4.根据权利要求3所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述遮光层厚度为0.5～4μm。5.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述在所述遮光层之上依次沉积缓冲层、第一半导体层、第一栅极绝缘层和栅极金属层的步骤，包括：在所述遮光层之上沉积一层多层结构薄膜，作为缓冲层；沉积一层金属氧化物半导体材料作为第一半导体层，并蚀刻图形；沉积一多层结构薄膜，作为第一栅极绝缘层；沉积一层金属作为栅极金属层。6.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层的步骤，包括：利用一道黄光，蚀刻出栅极金属层的图形；利用栅极金属层的图形为自对准，蚀刻所述栅极绝缘层，将所述栅极金属层下方之外的第一栅极绝缘层蚀刻掉，得到第二栅极绝缘层。7.根据权利要求1所述的TFT的制备方法，其特征在于，所述对所述第一半导体层进行等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成导体层，剩余的形成第二半导体层的步骤，包括：对所述第一半导体层进行N2等离子处理处理，使得所述第二栅极绝缘层未遮挡的第一半导体层形成N离子导体层，剩余的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44