主动开关及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种主动开关及其制作方法、显示装置。该主动开关包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上、并覆盖所述栅极；氧化物半导体层，形成于栅极绝缘层对应所述栅极的上方；黑色矩阵，形成于所述栅极绝缘层上、并覆盖氧化物半导体层；源极、漏极，形成于黑色矩阵上；其中，所述源极、漏极分别通过贯穿黑色矩阵的过孔与氧化物半导体层电连接。本申请通过将原本的蚀刻阻挡层用黑色矩阵替代，亦可有效防止背沟道腐蚀，同时，由于黑色矩阵开孔的区域分别有源极和漏极进行遮挡，所以不存在漏光的现象；进一步地，由于省去了一层蚀刻阻挡层，也就相应可以减少一次蚀刻阻挡层的光罩，使得整个主动开关的制作成本得以降低。

【技术实现步骤摘要】
主动开关及其制作方法、显示装置
本申请涉及显示
，特别是涉及一种主动开关及其制作方法、显示装置。
技术介绍
IGZO(Indiumgalliumzincoxide,氧化铟镓锌)，它是一种新型半导体材料，有着比非晶硅更高的电子迁移率。IGZO常常用在新一代高性能TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)中作为沟道材料，从而提高显示面板分辨率。在IGZOTFT结构中，为了防止IGZO背沟道的刻蚀损伤，通常采用ESL(EtchstopLayer，刻蚀阻挡层)结构，来防止背沟道刻蚀损伤，但是需要增加一道ESL光罩；IGZOESL一般用于大尺寸、高分辨率的显示面板设计中，其像素尺寸很小，为了防止CF(ColorFilter，彩色滤光片)与Array(阵列)基板结合时发生偏移而导致显示面板漏光或者其他显示亮度不均匀的问题，会选择将黑色矩阵或者色阻全部制作在Array基板上，但是这样会增加TFT结构的制作成本。如何在防止背沟道刻蚀损伤的同时降低TFT结构的制作成本，是亟需解决的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对如何在防止背沟道刻蚀损伤的同时降低TFT结构的制作成本的问题，提供一种主动开关及其制作方法、显示装置。一种主动开关，所述主动开关包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上、并覆盖所述栅极；氧化物半导体层，形成于所述栅极绝缘层对应所述栅极的上方；黑色矩阵，形成于所述栅极绝缘层上、并覆盖所述氧化物半导体层；源极、漏极，形成于所述黑色矩阵上；其中，所述源极、漏极分别通过贯穿所述黑色矩阵的过孔与所述氧化物半导体层电连接。在其中一个实施例中，所述主动开关还包括：层间绝缘层，形成于所述源极、漏极上。在其中一个实施例中，还包括：色阻层，形成于所述层间绝缘层上。在其中一个实施例中，还包括：保护绝缘层，形成于所述色阻层上。在其中一个实施例中，还包括：像素电极，形成于所述保护绝缘层上；其中，所述像素电极与所述漏极通过贯穿所述保护绝缘层、色阻层及层间绝缘层的过孔电连接。在其中一个实施例中，所述氧化物半导体层的材料为氧化铟镓锌。在其中一个实施例中，所述黑色矩阵包括有机物和/或金属氧化物。一种主动开关的制造方法，用于制造前述所述的主动开关，所述方法包括：提供一基板，并在所述基板上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行图案化处理形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积半导体层、并对所述半导体层进行刻蚀以形成对应于所述栅极上方的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成黑色矩阵、并在所述黑色矩阵上形成对应于所述氧化物半导体层两侧的过孔；在所述黑色矩阵上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行刻蚀以形成源极、漏极；其中，所述源极、漏极分别通过所述过孔与所述氧化物半导体层接触。在其中一个实施例中，所述栅极绝缘层包括氧化硅和/或氮化硅。一种显示装置，包括前述所述的主动开关。上述主动开关，通过将原本的蚀刻阻挡层用黑色矩阵替代，亦可有效防止背沟道腐蚀，同时，由于黑色矩阵开孔的区域分别有源极、漏极进行遮挡，所以不存在漏光的现象；进一步地，由于省去了一层蚀刻阻挡层，也就相应可以减少一次蚀刻阻挡层的光罩，使得整个TFT结构的制作成本得以降低。附图说明图1为一实施例中的主动开关的结构示意图；图2为一实施例中的主动开关的制作方法流程图；图3为根据图2中步骤S100形成的部分结构示意图；图4为根据图2中步骤S200形成的部分结构示意图；图5为根据图2中步骤S300形成的部分结构示意图；图6为根据图2中步骤S400形成的部分结构示意图；图7为根据图2中步骤S500形成的部分结构示意图；图8为另一实施例中的主动开关的结构示意图。具体实施方式为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。请参照图1，为一实施例中的主动开关的结构示意图；该主动开关可以包括：基板10，栅极20，栅极绝缘层30，氧化物半导体层40，黑色矩阵50及源极610、漏极620。其中，栅极20形成于基板10上；栅极绝缘层30形成于基板10上、并覆盖栅极20；氧化物半导体层40，形成于栅极绝缘层30对应栅极20的上方；黑色矩阵50，形成于栅极绝缘层30上、并覆盖氧化物半导体层40；源极610、漏极620，形成于黑色矩阵50上；其中，源极610、漏极620分别通过贯穿黑色矩阵50的过孔与氧化物半导体层40电连接。上述主动开关，通过将原本的蚀刻阻挡层用黑色矩阵替代，亦可有效防止背沟道腐蚀，同时，由于黑色矩阵开孔的区域分别有源极和漏极进行遮挡，所以不存在漏光的现象；进一步地，由于省去了一层蚀刻阻挡层，也就相应可以减少一次蚀刻阻挡层的光罩，使得整个TFT结构的制作成本得以降低。基板10可以是玻璃基板或塑料基板，其中，玻璃基板可以为无碱硼硅酸盐超薄玻璃，无碱硼硅酸盐玻璃具有较高的物理特性、较好的耐腐蚀性能、较高的热稳定性以及较低的密度和较高的弹性模量。栅极20形成于基板10上，其中，栅极20的形成工艺可以包括射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺。可以理解，栅极20的形成工艺可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极20的材料可以为钼、钛、铝和铜中的一种或者多种的堆栈组合；选用钼、钛、铝和铜作为栅极20材料可以保证良好的导电性能。可以理解，栅极20的材料可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极20的厚度范围可以为2000埃-6000埃，可选地，栅极20的厚度可以为2000埃-4000埃，进一步地，栅极20的厚度可以为4000埃-6000埃。可以理解，栅极20的厚度可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极绝缘层30形成于基板10上，栅极绝缘层30的形成工艺可以包括射频磁控溅射、热蒸发、真空电子束蒸发以及等离子增强化学气相沉积工艺。可以理解，栅极绝缘层30的形成工艺可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极绝缘层30的材料可以是氧化硅、氮化硅中的一种或者二者的组合，即栅极绝缘层30可以是氧化硅，也可以是氮化硅，还可以是氧化硅和氮化硅的混合物。可以理解，栅极绝缘层30的材料可以根据实际应用情况以及产品性能进行选择和调整，在此不作进一步的限定。栅极绝缘层30的厚度可以为1000埃-4000埃，可选地，栅极绝缘层30本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动开关，其特征在于，所述主动开关包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上、并覆盖所述栅极；氧化物半导体层，形成于所述栅极绝缘层对应所述栅极的上方；黑色矩阵，形成于所述栅极绝缘层上、并覆盖所述氧化物半导体层；源极、漏极，形成于所述黑色矩阵上；其中，所述源极、漏极分别通过贯穿所述黑色矩阵的过孔与所述氧化物半导体层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种主动开关，其特征在于，所述主动开关包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上、并覆盖所述栅极；氧化物半导体层，形成于所述栅极绝缘层对应所述栅极的上方；黑色矩阵，形成于所述栅极绝缘层上、并覆盖所述氧化物半导体层；源极、漏极，形成于所述黑色矩阵上；其中，所述源极、漏极分别通过贯穿所述黑色矩阵的过孔与所述氧化物半导体层电连接。2.根据权利要求1所述的主动开关，其特征在于，还包括：层间绝缘层，形成于所述源极、漏极上。3.根据权利要求2所述的主动开关，其特征在于，还包括：色阻层，形成于所述层间绝缘层上。4.根据权利要求3所述的主动开关，其特征在于，还包括：保护绝缘层，形成于所述色阻层上。5.根据权利要求4所述的主动开关，其特征在于，还包括：像素电极，形成于所述保护绝缘层上；其中，所述像素电极与所述漏极通过贯穿所述保护绝缘层、色阻层及层间绝缘层的过孔电连接。6.根据权利要求1所述的主动开关，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振莉，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44