合成电阻电路及可变增益放大电路制造技术

提供合成电阻电路及可变增益放大电路。合成电阻电路(2A)具有设置在第1端(2a)与第2端(2b)之间的第1电路网(20A)。第1电路网(20A)包括：设置在节点(N11)与节点(N12)之间的电阻器(R1)；设置在节点(N12)与节点(N13)之间的电阻器(R2)；设置在节点(N13)与节点(N14)之间的电阻器(R3)；设置在节点(N14)与节点(N11)之间的电阻器(R4)；设置在节点(N11)与节点(N13)之间的电阻器(R5)；在节点(N14)与节点(N11)之间与电阻器(R4)串联设置的开关(SW0)；以及在节点(N12)与节点(N13)之间与电阻器(R2)串联设置的开关(SW1)。节点(N12)与第1端连接，节点(N14)与第2端连接。

【技术实现步骤摘要】
合成电阻电路及可变增益放大电路
本专利技术涉及合成电阻电路、及具有该合成电阻电路的可变增益放大电路。
技术介绍
可变增益放大电路具有电阻值可变的合成电阻电路，能够输出与输入的电信号的值以及合成电阻电路的电阻值相应的值的电信号。可变增益放大电路包括对输入的电压信号进行放大并输出该放大后的电压信号的电压放大电路、将输入的电压信号转换为电流信号并输出该电流信号的VI转换电路、以及将输入的电流信号转换为电压信号并输出该电压信号的IV转换电路等。在下面的专利文献1、2中公开了这种可变增益放大电路的专利技术。具有专利文献1中公开的可变增益放大电路的合成电阻电路具有如下结构：即，将串联连接了电阻器和开关而成的结构作为结构单元，该合成电阻电路具有将多个结构单元并联连接而成的结构(以下，称为“并联型结构”)。具有专利文献2中公开的可变增益放大电路的合成电阻电路具有如下结构：即，将并联连接了电阻器和开关而成的结构作为结构单元，该合成电阻电路具有将多个结构单元串联连接而成的结构(以下，称为“串联型结构”)。专利文献1：日本特开2008-205560号公报专利文献2：日本特开2011-091572号公报
技术实现思路
一般情况下，在并联型结构和串联型结构中的任意一种结构中使用的开关都是由MOS晶体管构成的模拟开关。合成电阻电路具有与被数字控制的多个开关各自的导通/截止的状态相应的电阻值。如果将并联连接或者串联连接的结构单元的个数设为n，n个开关各自的导通/截止的状态的组合有2n种。但是，要设定n个电阻器各自的电阻值以使合成电阻电路能够具有2n种期望的电阻值并不容易。因此，以往，在并联型结构和串联型结构中的任意一种结构中，为了使合成电阻电路能够具有期望的各电阻值，都需要并联连接或串联连接许多的结构单元。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，目的在于提供一种使用少数的开关就能够具有许多种期望的电阻值的合成电阻电路。此外，本专利技术的目的在于提供一种具有这种合成电阻电路的可变增益放大电路。本专利技术的合成电阻电路具有设置在第1端与第2端之间的第1电路网，第1电路网包括：电阻器R1，其设置在节点N11与节点N12之间；电阻器R2，其设置在节点N12与节点N13之间；电阻器R3，其设置在节点N13与节点N14之间；电阻器R4，其设置在节点N14与节点N11之间；电阻器R5，其设置在节点N11与节点N13之间；开关SW0，其在节点N14与节点N11之间与电阻器R4串联设置；以及开关SW1，其在节点N12与节点N13之间与电阻器R2串联设置，节点N12与第1端连接，节点N14与第2端连接。本专利技术的合成电阻电路优选在设电阻器R1的电阻值为r1，设电阻器R2的电阻值为r2，设电阻器R3的电阻值为r3，设电阻器R4的电阻值为r4时，电阻比(r3/r1)和电阻比(r4/r2)彼此相等。本专利技术的合成电阻电路优选还具有在第1端与第2端之间与第1电路网并联设置的第2电路网，第2电路网包括：电阻器R6，其设置在节点N21与节点N22之间；电阻器R7，其设置在节点N22与节点N23之间；电阻器R8，其设置在节点N23与节点N24之间；电阻器R9，其设置在节点N24与节点N21之间；电阻器R10，其设置在节点N21与节点N23之间；开关SW2，其在节点N21与节点N22之间与电阻器R6串联设置；开关SW3，其在节点N24与节点N21之间与电阻器R9串联设置；以及开关SW4，其在节点N22与节点N23之间与电阻器R7串联设置，节点N22与第1端连接，节点N24与第2端连接。本专利技术的合成电阻电路优选还具有在第1端与第2端之间与第1电路网并联设置的第3电路网，第3电路网包括：电阻器R6，其设置在节点N21与节点N22之间；电阻器R7，其设置在节点N22与节点N23之间；电阻器R8，其设置在节点N23与节点N24之间；电阻器R9，其设置在节点N24与节点N21之间；电阻器R10，其设置在节点N21与节点N23之间；开关SW2，其在节点N21与节点N23之间与电阻器R10串联设置；开关SW3，其在节点N24与节点N21之间与电阻器R9串联设置；以及开关SW4，其在节点N22与节点N23之间与电阻器R7串联设置，节点N22与第1端连接，节点N24与第2端连接。本专利技术的合成电阻电路优选还具有在第1端与第2端之间与第1电路网并联设置的第4电路网，第4电路网包括：电阻器R6，其设置在节点N21与节点N22之间；电阻器R7，其设置在节点N22与节点N23之间；电阻器R8，其设置在节点N23与节点N24之间；电阻器R9，其设置在节点N24与节点N21之间；电阻器R10，其设置在节点N21与节点N23之间；开关SW2，其设置在节点N24与第2端之间；开关SW3，其在节点N24与节点N21之间与电阻器R9串联设置；以及开关SW4，其在节点N22与节点N23之间与电阻器R7串联设置，节点N22与第1端连接。本专利技术的可变增益放大电路具有上述本专利技术的合成电阻电路，输出与输入的电信号的值以及合成电阻电路的合成电阻值相应的值的电信号。专利技术效果本专利技术的合成电阻电路能够使用少数的开关而具有许多期望的电阻值。附图说明图1是第1结构例的合成电阻电路2A的电路图。图2是对针对第1结构例的合成电阻电路2A中的控制信号的各值的合成电阻值进行总结得到的表。图3是第2结构例的合成电阻电路2B的电路图。图4是对针对第2结构例的合成电阻电路2B的控制信号的各值的合成电阻值进行总结得到的表。图5是第3结构例的合成电阻电路2C的电路图。图6是第4结构例的合成电阻电路2D的电路图。图7是对针对第4结构例的合成电阻电路2D中的控制信号的各值的合成电阻值进行总结得到的表。图8是第1结构例的可变增益放大电路1A的电路图。图9是第2结构例的可变增益放大电路1B的电路图。图10是第3结构例的可变增益放大电路1C的电路图。图11是第4结构例的可变增益放大电路1D的电路图。具体实施方式下面，参照附图，对用于实施本专利技术的方式进行详细说明。另外，在附图说明中，对相同的要素赋予相同的标号，省略重复的说明。本专利技术不限于这些示例，旨在于包括在具有与权利要求书等同的含义及范围内的所有的变更。下面，对合成电阻电路的第1～第4结构例及变形例进行说明，之后，对具有该合成电阻电路的可变增益放大电路的第1～第4结构例及变形例进行说明。(合成电阻电路的第1结构例)图1是第1结构例的合成电阻电路2A的电路图。合成电阻电路2A在第1端2a与第2端2b之间具有第1电路网20A。第1电路网20A包括电阻器R1～R5以及开关SW0、SW1。电阻器R1设置在节点N11与节点N12之间。电阻器R2和开关SW1彼此串联连接，设置在节点N12与节点N13之间。电阻器R3设置在节点N13与节点N14之间。电阻器R4和开关SW0彼此串联连接，设置在节点N14与节点N11之间。电阻器R5设置在节点N11与节点N13之间。节点N12与第1端2a连接。节点N14与第2端2b连接。合成电阻电路2A能够在第1端2a与第2端2b之间具有与2个开关SW0，SW1各自的导通/截止状态相应的合成电阻值。可以通过2比特的二进制数(b1、b0)表示对2个开关SW0、SW1各自的导通/截止进行控制的控制信号。开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种合成电阻电路，其具有设置在第1端与第2端之间的第1电路网，所述第1电路网包括：电阻器R1，其设置在节点N11与节点N12之间；电阻器R2，其设置在所述节点N12与节点N13之间；电阻器R3，其设置在所述节点N13与节点N14之间；电阻器R4，其设置在所述节点N14与所述节点N11之间；电阻器R5，其设置在所述节点N11与所述节点N13之间；开关SW0，其在所述节点N14与所述节点N11之间与所述电阻器R4串联设置；以及开关SW1，其在所述节点N12与所述节点N13之间与所述电阻器R2串联设置，所述节点N12与所述第1端连接，所述节点N14与所述第2端连接。

【技术特征摘要】
2017.10.06 JP 2017-1961001.一种合成电阻电路，其具有设置在第1端与第2端之间的第1电路网，所述第1电路网包括：电阻器R1，其设置在节点N11与节点N12之间；电阻器R2，其设置在所述节点N12与节点N13之间；电阻器R3，其设置在所述节点N13与节点N14之间；电阻器R4，其设置在所述节点N14与所述节点N11之间；电阻器R5，其设置在所述节点N11与所述节点N13之间；开关SW0，其在所述节点N14与所述节点N11之间与所述电阻器R4串联设置；以及开关SW1，其在所述节点N12与所述节点N13之间与所述电阻器R2串联设置，所述节点N12与所述第1端连接，所述节点N14与所述第2端连接。2.根据权利要求1所述的合成电阻电路，其中，在设所述电阻器R1的电阻值为r1，设所述电阻器R2的电阻值为r2，设所述电阻器R3的电阻值为r3，设所述电阻器R4的电阻值为r4时，电阻比(r3/r1)和电阻比(r4/r2)彼此相等。3.根据权利要求1或2所述的合成电阻电路，其中，所述合成电阻电路还具有在所述第1端与所述第2端之间与所述第1电路网并联设置的第2电路网，所述第2电路网包括：电阻器R6，其设置在节点N21与节点N22之间；电阻器R7，其设置在所述节点N22与节点N23之间；电阻器R8，其设置在所述节点N23与节点N24之间；电阻器R9，其设置在所述节点N24与所述节点N21之间；电阻器R10，其设置在所述节点N21与所述节点N23之间；开关SW2，其在所述节点N21与所述节点N22之间与所述电阻器R6串联设置；开关SW3，其在所述节点N24与所述节点N21之间与所述电阻器R9串联设置；以及开关SW4，其在所述节点N22与所述节点N23之间与所述电阻器R7串联设置，所述节点N22与所述第1端连接，所述节点N24与所述第2端连接。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的合成电阻电路，其中，所述合成电阻电路还具有在所述第1端与所述第2端之间与所述第1电路网并联设置的第3电路网，所述第3电路网包括：电阻器R6，其设置在节点N21与节点N22之间；电阻器R7，其设置在所述节点N22与节点N23之间；电阻器R8，其设置在所述节点N23与节点N24之间；电阻器R9，其设置在所述节点N24与所述节点...

【专利技术属性】
技术研发人员：源代裕治，
申请(专利权)人：哉英电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP