显示面板的制造方法技术

本发明专利技术公开一种显示面板的制造方法，通过设置钛层在半导体氧化物层上作为蚀刻阻挡层，并且在蚀刻后再通过离子布植将氧离子掺杂到钛层中，以使位在半导体氧化物层上的钛层形成电性绝缘的二氧化钛层，进而形成多个薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制造方法
本专利技术是有关于显示器领域，特别是有关于一种显示面板的制造方法。
技术介绍
使用半导体氧化物来制造晶体管的技术已受到注目，且所述晶体管具有迁移率高、均一性好、透明、工艺简单等优点。然而，在具有背沟道蚀刻型(backchanneletch；BCE)结构的晶体管中，由于半导体氧化物没有蚀刻阻挡层(etchstoplayer；ESL)的保护，蚀刻液会对半导体氧化物造成损伤，从而影响半导体层的器件特性。故，有必要提供一种显示面板的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种显示面板的制造方法，以解决现有技术所存在的蚀刻液会对半导体氧化物造成损伤，从而影响半导体层的器件特性问题。本专利技术的一目的在于提供一种显示面板的制造方法，其可以通过设置钛层在半导体氧化物层上作为蚀刻阻挡层，并且在蚀刻后再通过离子布植将氧离子掺杂到钛层中，以使位在半导体氧化物层上的钛层形成电性绝缘的二氧化钛层。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种显示面板的制造方法，其中所述显示面板的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一半导体氧化物层于所述栅极绝缘层上，其中所述半导体氧化物层的一位置对应所述栅极图案层的一位置；形成多个金属层于所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上，其中所述多个金属层包含依序形成在所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上的一钛层、一钼层及一铜层；及对所述多个金属层进行一灰阶掩膜工艺以形成多个薄膜晶体管，其中所述灰阶掩膜工艺包含：图案化所述多个金属层；移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层，以暴露位在所述半导体氧化物层上的所述钛层；及对位在所述半导体氧化物层上的所述钛层掺杂氧离子，其中所述钛层形成一二氧化钛层。在本专利技术的一实施例中，所述显示面板的制造方法更包含步骤：覆盖一钝化层于所述多个薄膜晶体管及所述栅极绝缘层上。在本专利技术的一实施例中，所述显示面板的制造方法更包含步骤：形成一像素电极层于所述钝化层上，其中所述像素电极层穿过所述钝化层的一孔洞并与电性连接所述多个薄膜晶体管。在本专利技术的一实施例中，所述灰阶掩膜工艺是选自于由一半色调光掩膜工艺及一灰色调光掩膜工艺所组成的一族群。在本专利技术的一实施例中，所述灰阶掩膜工艺包含：形成一光刻胶图案层于所述铜层上，所述光刻胶图案层定义所述多个薄膜晶体管的多个位置。在本专利技术的一实施例中，所述光刻胶图案层具有一第一部分及一第二部分，所述光刻胶图案层的第一部分对应所述多个薄膜晶体管的一源/漏极区，以及所述光刻胶图案层的第二部分对应所述半导体氧化物层，其中所述第一部分及所述第二部分分别具有一第一厚度及一第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。在本专利技术的一实施例中，所述图案化所述多个金属层的步骤包含：通过含氟成分的过氧化氢来图案化所述多个金属层。在本专利技术的一实施例中，在所述图案化所述多个金属层的步骤之后以及所述移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层的步骤之前，更包含步骤：移除所述光刻胶图案层的第二部分。在本专利技术的一实施例中，所述移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层的步骤包含：通过不含氟成分的过氧化氢来移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术另一实施例提供一种显示面板的制造方法，其中所述显示面板的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一半导体氧化物层于所述栅极绝缘层上，所述半导体氧化物层的一位置对应所述栅极图案层的一位置，其中所述半导体氧化物层选自于由铟锌氧化物、铟镓锌氧化物及铟镓锌钖氧化物所组成的一族群；形成多个金属层于所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上，其中所述多个金属层包含依序形成在所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上的一钛层、一钼层及一铜层；及对所述多个金属层进行一灰阶掩膜工艺以形成多个薄膜晶体管，其中所述灰阶掩膜工艺包含：图案化所述多个金属层；移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层，以暴露位在所述半导体氧化物层上的所述钛层；及对位在所述半导体氧化物层上的所述钛层掺杂氧离子，其中所述钛层形成一二氧化钛层。与现有技术相比较，本专利技术的显示面板的制造方法是通过设置钛层在半导体氧化物层上作为蚀刻阻挡层，并且在蚀刻后再通过离子布植将氧离子掺杂到钛层中，以使位在半导体氧化物层上的钛层形成电性绝缘的二氧化钛层，进而形成多个薄膜晶体管。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术实施例的显示面板的制造方法的流程示意图。图2A至2G是本专利技术实施例的显示面板的制造方法的各个制造步骤的剖面示意图。图3A至3E是本专利技术实施例的显示面板的制造方法的灰阶掩膜工艺的各个步骤的剖面示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1及2A至2G，本专利技术一实施例的显示面板的制造方法10包含下列步骤11至16：提供一基板(步骤11)；形成一栅极图案层于所述基板上(步骤12)；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上(步骤13)；形成一半导体氧化物层于所述栅极绝缘层上，其中所述半导体氧化物层的一位置对应所述栅极图案层的一位置(步骤14)；形成多个金属层于所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上，其中所述多个金属层包含依序形成在所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上的一钛层、一钼层及一铜层(步骤15)；及对所述多个金属层进行一灰阶掩膜工艺以形成多个薄膜晶体管，其中所述灰阶掩膜工艺包含：图案化所述多个金属层；移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层，以暴露位在所述半导体氧化物层上的所述钛层；及对位在所述半导体氧化物层上的所述钛层掺杂氧离子，其中所述钛层形成一二氧化钛层(步骤16)。本专利技术将于下文详细说明实施例的各步骤的实施细节及其原理。请一并参考图1及2A，本专利技术一实施例的显示面板的制造方法10首先是步骤11：提供一基板21。在本步骤11中，所述基板21例如是一衬底基板，可用于承载显示面板的各个构件。在一实施例中，所述基板21例如是一柔性基板、一透光基板或者一柔性透光基板。请一并参考图1及2B，本专利技术一实施例的显示面板的制造方法10接着是步骤12：形成一栅极图案层22于所述基板21上。在本步骤12中，所述栅极图案层22例如是包含有钼与铜的一复合层。在一实施例中，所述栅极图案层22可通过一般半导体工艺的方式(例如微影蚀刻法)制作。在另一实施例中，所述栅极图案层22的厚度可根据需求来调整，故在此不做限制。请一并参考图1及2C，本专利技术一实施例的显示面板的制造方法10接着是步骤13：覆盖一栅极绝缘层23于所述栅极图案层22及所述基板21上。在本步骤13中，所述栅极绝缘层23可使所述栅极图案层22电性绝缘于后面所形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于：所述显示面板的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一半导体氧化物层于所述栅极绝缘层上，其中所述半导体氧化物层的一位置对应所述栅极图案层的一位置；形成多个金属层于所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上，其中所述多个金属层包含依序形成在所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上的一钛层、一钼层及一铜层；及对所述多个金属层进行一灰阶掩膜工艺以形成多个薄膜晶体管，其中所述灰阶掩膜工艺包含：图案化所述多个金属层；移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层，以暴露位在所述半导体氧化物层上的所述钛层；及对位在所述半导体氧化物层上的所述钛层掺杂氧离子，其中所述钛层形成一二氧化钛层。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于：所述显示面板的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极图案层于所述基板上；覆盖一栅极绝缘层于所述栅极图案层及所述基板上；形成一半导体氧化物层于所述栅极绝缘层上，其中所述半导体氧化物层的一位置对应所述栅极图案层的一位置；形成多个金属层于所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上，其中所述多个金属层包含依序形成在所述半导体氧化物层及所述栅极绝缘层上的一钛层、一钼层及一铜层；及对所述多个金属层进行一灰阶掩膜工艺以形成多个薄膜晶体管，其中所述灰阶掩膜工艺包含：图案化所述多个金属层；移除位在所述半导体氧化物层上的所述铜层及所述钼层，以暴露位在所述半导体氧化物层上的所述钛层；及对位在所述半导体氧化物层上的所述钛层掺杂氧离子，其中所述钛层形成一二氧化钛层。2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述显示面板的制造方法更包含步骤：覆盖一钝化层于所述多个薄膜晶体管及所述栅极绝缘层上。3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述显示面板的制造方法更包含步骤：形成一像素电极层于所述钝化层上，其中所述像素电极层穿过所述钝化层的一孔洞并与电性连接所述多个薄膜晶体管。4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述灰阶掩膜工艺是选自于由一半色调光掩膜工艺及一灰色调光掩膜工艺所组成的一族群。5.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述灰阶掩膜工艺包含：形成一光刻胶图案层于所述铜层上，所述光刻胶图案层定义所述多个薄膜晶体管的多个位置。6.如权利要求5所述的显示面板的制造方法，其特征在于：所述光刻胶图案层具有一第一部分及一第二部分，所述光刻胶图案层的第一部分对应所述多个薄膜晶体管的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44