基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及基板处理装置，用于进行基板研磨工序，其包括：研磨单元：研磨基板表面；基板移送部：在基板的研磨开始时间点与研磨结束时间点之间移送基板。从而，可以简化基板处理工序，并缩短处理时间。

Substrate Processing Unit

The utility model relates to a substrate processing device, which is used for the substrate grinding process, comprising: a grinding unit: grinding the surface of the substrate; a substrate transfer unit: transferring the substrate between the starting time point of the substrate grinding and the finishing time point of the substrate grinding. Thus, the processing procedure of the substrate can be simplified and the processing time can be shortened.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够简化大面积基板的处理工序并缩短处理时间的基板处理装置。
技术介绍
最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求也正在提高，正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(CathodeRayTube；CRT)的轻薄型平板显示装置(FlatPanelDisplay；FPD)的研究及商业化。在这种平板显示装置领域，迄今轻巧而耗电少的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplayDevice；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrastratio)及视野角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:OrganicLightEmittingDisplay)。一般而言，显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而需能够准备与此相应的玻璃基板。作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(EximerLaserAnnealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多样研究，但还远远不够，要求对此进行开发。
技术实现思路
所要解决的技术问题本技术目的在于提供一种能够简化基板处理工序并缩短处理时间的基板处理装置。特别是本技术目的在于，能够缩短基板研磨所需的时间，提高生产率。另外，本技术目的在于，能够连续供应并处理基板。另外，本技术目的在于，能够简化设备，并且能够节省制造费用。另外，本技术目的在于，能够提高研磨稳定性及研磨均匀度。技术方案根据旨在达成所述本技术目的的本技术优选实施例，进行基板研磨工序的基板处理装置包括研磨基板表面的研磨单元、在基板研磨开始时间点与研磨结束时间点之间移送基板的基板移送部，使得以直排(Inline)方式处理基板，借助于此，能够简化基板处理工序，缩短处理时间。本技术提供一种基板处理装置，用于进行基板研磨工序，其可以包括：研磨单元，其研磨基板的表面；基板移送部，其在所述基板的研磨开始时间点与研磨结束时间点之间移送所述基板。其中，在所述基板被移送期间，所述研磨单元可以对所述基板进行相对移动，研磨所述基板的表面。其中，所述基板移送部可以包括：移送带，其在外表面安放所述基板，沿着第一方向移送所述基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面；在所述基板沿着所述第一方向被移送期间，所述研磨单元沿着与所述第一方向正交的第二方向进行往返移动，研磨所述基板的表面。其中，所述移送带可以沿着既定路径循环旋转，由于所述移送带的循环旋转，所述基板沿着所述第一方向被移送。如果在所述基板沿着所述第一方向被移送的同时，所述研磨单元沿着所述第二方向往返移动，则所述研磨单元可以沿着相对于所述基板的一边倾斜的第一斜线路径、向所述第一斜线路径的相反方向倾斜的第二斜线路径，相对于所述基板反复进行Z字形移动并研磨所述基板的表面。其中，所述基板支撑部可以包括紧贴于所述移送带的内表面的支撑板。其中，所述基板处理装置可以包括润滑层，其配备于所述移送带的内表面与所述支撑板的上表面之间，降低所述移送带相对于所述支撑板的摩擦系数。其中，所述润滑层可以形成在所述移送带的内表面。其中，所述润滑层可以形成在所述基板支撑部的上表面。其中，所述基板支撑部可以形成为尺寸小于所述基板，在所述研磨单元的下部位置，部分地支撑所述基板的底面。其中，所述基板支撑部与所述移送带的内表面可以隔开地配置，以非接触状态支撑所述移送带的内表面。其中，在所述移送带的外表面可以形成有提高相对于所述基板的摩擦系数以抑制滑动的表面层。其中，所述基板处理装置可以包括护圈，其以包围所述基板的四周周边的方式配备于所述移送带的外表面。其中，在所述护圈可以贯通形成有基板容纳部，所述基板在所述基板容纳部的内部安放于所述移送带的外表面。其中，所述护圈可以形成为厚度小于或等于所述基板。其中，多个所述护圈可以配备于所述移送带的外表面。其中，所述研磨单元可以以接触所述护圈上表面的状态，研磨所述基板的上表面。其中，在对所述基板进行机械式研磨期间，可以一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨工序。其中，所述研磨单元可以包括：研磨垫，其在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，研磨所述基板。其中，所述研磨垫可以形成为尺寸小于所述基板的横向长度或纵向长度。其中，所述研磨单元可以包括：第一研磨垫，其在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，研磨所述基板；第二研磨垫，其与所述第一研磨垫隔开地配置，在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，研磨所述基板。其中，所述第一研磨垫可以研磨所述基板的第一区域，所述第二研磨垫研磨所述基板的第二区域，所述第一研磨垫和所述第二研磨垫在所述第一区域和所述第二区域同时研磨所述基板。其中，所述第一研磨垫可以在沿着所述第一方向的所述基板的前端部，开始对所述基板的研磨，所述第二研磨垫在沿着所述第一方向的所述基板的中央部，开始对所述基板的研磨。其中，所述基板支撑部可以包括：第一支撑板，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面；第二支撑板，其与所述第一支撑板隔开地配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑在所述基板之后供应的后续基板的底面。其中，所述研磨单元可以包括：第一研磨垫，其在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，研磨所述基板；第二研磨垫，其在以接触所述后续基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，研磨所述后续基板。其中，所述第一研磨垫和所述第二研磨垫可以同时研磨所述基板和所述后续基板。其中，所述基板支撑部可以包括：第一支撑板，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面；第二支撑板，其与所述第一支撑板隔开地配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑从所述第一支撑板移送的所述基板的底面。其中，所述研磨单元可以包括：第一研磨垫，其配备于所述第一支撑板的上部，在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，对所述基板进行第一次研磨；第二研磨垫，其配备于所述第二支撑板的上部，在以接触所述基板的状态自转的同时，沿着所述第二方向往返移动，对所述基板进行第二次研磨。其中，所述基板处理装置可以包括装载部，其包括相互协助地移送所述基板的多个装载移送辊，将所述基板移送到所述移送带。其中，所述基板处理装置可以包括卸载部，其包括相互协助地移送所述基板的多个卸载移送辊，从所述移送带接收所述基板。其中，随着所述移送带向远离所述基板底面的方向移动，所述基板可以从所述移送带分离并卸载到所述卸载部。有益效果综上所述，根据本技术，可以简化基板处理工序并缩短处理时间。特别是根据本技术，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，用于进行基板研磨工序，其特征在于，包括：研磨单元，其研磨基板的表面；基板移送部，其在所述基板的研磨开始时间点与研磨结束时间点之间移送所述基板，所述基板移送部包括：移送带，其在外表面安放所述基板，沿着第一方向移送所述基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面。

【技术特征摘要】
2018.01.31 KR 10-2018-00118821.一种基板处理装置，用于进行基板研磨工序，其特征在于，包括：研磨单元，其研磨基板的表面；基板移送部，其在所述基板的研磨开始时间点与研磨结束时间点之间移送所述基板，所述基板移送部包括：移送带，其在外表面安放所述基板，沿着第一方向移送所述基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的底面。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板被移送期间，所述研磨单元对所述基板进行相对移动，研磨所述基板的表面。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板沿着所述第一方向被移送期间，所述研磨单元沿着与所述第一方向正交的第二方向进行往返移动，研磨所述基板的表面。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述移送带沿着既定路径循环旋转，由于所述移送带的循环旋转，所述基板沿着所述第一方向被移送。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，如果在所述基板沿着所述第一方向被移送的同时，所述研磨单元沿着所述第二方向往返移动，则所述研磨单元沿着相对于所述基板的一边倾斜的第一斜线路径、向所述第一斜线路径的相反方向倾斜的第二斜线路径，相对于所述基板反复进行Z字形移动并研磨所述基板的表面。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支撑部包括紧贴于所述移送带的内表面的支撑板。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，包括润滑层，其配备于所述移送带的内表面与所述支撑板的上表面之间，降低所述移送带相对于所述支撑板的摩擦系数。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述润滑层形成在所述移送带的内表面。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述润滑层形成在所述基板支撑部的上表面。10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支撑部形成为尺寸小于所述基板，在所述研磨单元的下部位置，部分地支撑所述基板的底面。11.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板支撑部与所述移送带的内表面隔开地配置，以非接触状态支撑所述移送带的内表面。12.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，在所述移送带的外表面形成有提高相对于所述基板的摩擦系数以抑制滑动的表面层。13.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，包括护圈，其以包围所述基板的四周周边的方式配备于所述移送带的外表面。14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，在所述护圈贯通形成有基板容纳部，所述基板在所述基板容纳部的内部安放于所述移送带的外表面。15.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述护圈形成为厚度小于或等于所述基板。16.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，多个所述护圈配备于所述移送带的外表面。17.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述研磨单元以接触所述护圈上表面的状态，研磨所述基板的上表面。18.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，在对所述基板进行机械式研磨期间，一同供应用于化学式...

【专利技术属性】
技术研发人员：李根雨，朴成贤，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR