一种边际氮空位g-C3N4光催化剂及其制备方法技术

本发明专利技术属于类石墨相氮化碳制备技术领域，尤其涉及一种边际氮空位g‑C3N4光催化剂及其制备方法。所述方法包括如下步骤：(1)将三聚氰胺或者双氰氨放入石英管中，然后通入Ar/CCl4混合气，在设定温度下反应；(2)反应完成后，水洗去产物上的杂质，干燥，即可得到具有边际空位的g‑C3N4催化剂。本发明专利技术不仅可通过调整反应条件调控缺陷浓度，进而调控材料光吸收与催化活性，调控手段简单易控；而且本发明专利技术能够制备出含有边际氮空位的g‑C3N4光催化剂，大幅度提高了g‑C3N4的光催化性能。

【技术实现步骤摘要】
一种边际氮空位g-C3N4光催化剂及其制备方法
本专利技术属于类石墨相氮化碳制备
，尤其涉及一种边际氮空位g-C3N4光催化剂及其制备方法。
技术介绍
当前，能源与环境问题成为人类所面临的两大难题。太阳能具有储量丰富、价格便宜、绿色环保等一系列优点，作为一种取之不尽用之不竭的新能源，太阳能逐渐受到了人们的广泛关注。近年来，基于太阳能利用的各种高新技术吸引了世界各国研究人员的广泛关注。光催化技术是一种有效利用太阳能资源，并将其转化为化学能的新技术，能够将水分解成氢气和氧气，解决能源与环境方面的相关问题。然而，光催化技术的推广严重受限于催化剂的性能，而缺陷调控作为一种有效的手段被广泛应用于光催化材料的改性中。因此，开发新的合成方法，有效的调控材料的缺陷成为提高光催化性能的必然选择。类石墨相氮化碳(g-C3N4)因不含金属、具有合适的禁带位置，有效的可见光吸收效率以及高的稳定性、无毒、易制备等优点成为近年来广受关注的光催化剂。但是传统制备方法多采用空气或者氩气、氢气等常规气氛，制备得到的材料要么缺少用于催化反应所必须的缺陷位点(空气、氩气气氛下)要么缺陷位点主要位于材料的草怕津环上(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边际氮空位g‑C3N4光催化剂，其特征在于：所述g‑C3N4光催化剂的化学结构如式1所示：

【技术特征摘要】
1.一种边际氮空位g-C3N4光催化剂，其特征在于：所述g-C3N4光催化剂的化学结构如式1所示：2.一种边际氮空位g-C3N4光催化剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将三聚氰胺或者双氰氨放入石英管中，然后通入Ar/CCl4混合气，在设定温度下反应；(2)反应完成后，水洗去产物上的杂质，干燥，即可得到具有边际空位的g-C3N4催化剂。3.如权利要求1所述的边际氮空位g-C3N4光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述三聚氰胺和通入的Ar/CCl4的比例为量为1-10g：50-1000sccm。4.如权利要求1所述的边际氮空位g-C3N4光催化剂的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述设定温度为450-700℃。...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦晓燕，李慧亮，黄柏标，王泽岩，张晓阳，郑昭科，王朋，刘媛媛，张倩倩，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37