一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法技术

本发明专利技术公开一种g‑C3N4超薄纳米片的制备方法：将三聚氰胺水溶液进行水热反应后的产物清洗‑离心处理后，低温干燥，研磨，得到g‑C3N4前驱物颗粒物，在氮气保护氛围下进行退火处理，得到g‑C3N4超薄纳米片；本发明专利技术制备的g‑C3N4超薄纳米片结构具有独特的形貌特征，为大量的寡层(3‑5层)片状堆叠而成的二维超薄纳米结构，其形貌均匀且表面光滑平整，可以提供更多的活性吸附位点，有利于有机污染物分子的快速吸附；其次，大量的纳米薄片堆叠形成的结构极大地增加其比表面积，且多层叠加结构可增强其机械强度，势必改善其长期使用的稳定性，该片状超薄材料在气体传感、光催化剂及催化剂载体方面皆有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法
本专利技术涉及纳米技术、材料化学和环境科学交叉应用领域，具体涉及一种g-C3N4超薄纳米片结构的制备方法。
技术介绍
近年来，由于环境污染问题日益加剧，污染物气体快速检测或难分解有机物快速降解方面的研究成为国内外关注的热点。此外，现代工业化生产中由于多种药物、化工产品的滥用以及副产品的燃烧导致大量污染物在环境中肆意堆积和排放，污染物化学性质稳定，在环境中能够长期存在，已经严重威胁到人类的健康。二维半导体纳米材料由于具有较大的比表面积和独特的空间结构，以及可调的光催化性质、电化学性能、高效的降解率及环境友好等特点，一直是气敏催化剂、光催化剂的候选材料。另外，超薄二维半导体材料可作为一种新兴的储能元件，具有充放电速度快、效率高、比功率高、循环使用寿命长且对环境无污染等优点，因此可作为电动汽车和混合型汽车的储能系统。作为一种近年来兴起的半导体光电材料，类石墨相氮化碳(g-C3N4)引起人们的广泛关注。g-C3N4纳米材料由于具有优异的化学稳定性、较高的比表面积、较高的放电比容量、倍率性能和结构种类丰富的特点，常被用作传统催化领域绿色载体和储能材料。更重本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种g‑C3N4超薄纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将三聚氰胺在水浴条件下溶于去离子水中，搅拌至三聚氰胺完全溶解于去离子水中，得到三聚氰胺水溶液；(2)将步骤(1)中的三聚氰胺水溶液转入高压反应釜，进行水热反应12‑24h；(3)对所述步骤(2)得到的反应物进行清洗‑离心处理至少3次，清洗‑离心处理步骤为：在该反应产物中加入去离子水或无水乙醇对其进行清洗，然后进行离心处理，取下层固体物再重复清洗‑离心处理步骤，清洗‑离心处理完毕后低温干燥，得到棒状的g‑C3N4前驱物，并对g‑C3N4前驱物进行研磨；(4)将步骤(3)中研磨后的g‑C3N4前驱物在氮气保护氛围...

【技术特征摘要】
1.一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将三聚氰胺在水浴条件下溶于去离子水中，搅拌至三聚氰胺完全溶解于去离子水中，得到三聚氰胺水溶液；(2)将步骤(1)中的三聚氰胺水溶液转入高压反应釜，进行水热反应12-24h；(3)对所述步骤(2)得到的反应物进行清洗-离心处理至少3次，清洗-离心处理步骤为：在该反应产物中加入去离子水或无水乙醇对其进行清洗，然后进行离心处理，取下层固体物再重复清洗-离心处理步骤，清洗-离心处理完毕后低温干燥，得到棒状的g-C3N4前驱物，并对g-C3N4前驱物进行研磨；(4)将步骤(3)中研磨后的g-C3N4前驱物在氮气保护氛围下进行退火处理，处理温度为400-500℃，时间10-12h，且处理时升温速度为5-15℃/min，退火处理结束后得到g-C3N4超薄纳米片。2.根据权利要求1所述的一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中三聚氰胺和去离子水的质量比为1-5:15...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏旋，王丽伟，符浩，余克服，王英辉，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：发明
国别省市：广西,45