晶圆加工方法和半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。该晶圆加工方法包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。

【技术实现步骤摘要】
晶圆加工方法和半导体器件的制备方法
本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种晶圆加工方法和半导体器件的制备方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)作为新一代的宽禁带半导体材料，在功率半导体领域具有极其优异的性能表现，是功率半导体器件发展的前沿和未来方向。作为第三代宽带隙半导体材料的代表，碳化硅单晶材料具有禁带宽度大(～Si的3倍)、热导率高(～Si的3.3倍或GaAs的10倍)、电子饱和迁移速率高(～Si的2.5倍)和击穿电场高(～Si的10倍或GaAs的5倍)等性质。SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域有着不可替代的优势，弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。在碳化硅晶圆产品的制造中，特别是1200V以上耐压器件的制造工艺中，都会使用聚酰亚胺(Polyimide，PI)作为护层的材料，即利用聚酰亚胺材料优异的热稳定性和物理机械性能，来达到提高碳化硅产品的耐压和产品可靠性的目的。但是，在实际的芯片制造和芯片封装的加工过程中，常常会出现聚酰亚胺层与下层结构脱落和开裂的异常情况。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工方法，其特征在于，包括如下步骤：提供碳化硅晶圆；所述碳化硅晶圆表面形成有多个管芯，相邻两管芯之间由划片道隔开；在所述碳化硅晶圆上涂布聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺层覆盖所述多个管芯和划片道；用光掩膜对所述聚酰亚胺层进行光刻处理，得到聚酰亚胺图案层；其中，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成，所述第一聚酰亚胺材料图案包裹住所述管芯的边缘并延伸至所述划片道上，所述第二聚酰亚胺材料图案位于所述划片道上；以及沿所述划片道上进行切割处理。2.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述聚酰亚胺层的厚度为1000-100000埃。3.如权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开1-10微米间距的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚酰亚胺材料图案组成。4.如权利要求3所述的晶圆加工方法，其特征在于，所述聚酰亚胺图案层由相互隔开2-6微米间距的第一聚酰亚胺材料图案和第二聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺冠中，
申请(专利权)人：深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44