The present invention provides a waterborne CMP polishing composition comprising a plurality of slender, curved or spherical colloidal silica particles containing cationic nitrogen atoms at a total weight of 0.5 to 30 wt%, and diallyl dimethyl ammonium salts with a weight of 0.001 to 0.5 wt%, preferably 10 to 500 ppm, such as cationic copolymers of diallyl dimethyl ammonium halide. The pH of the composition is 1 to 4.5. Preferably, the cationic copolymer of diallyl dimethyl ammonium salt comprises a copolymer of diallyl dimethyl ammonium chloride (DADMAC) and sulfur dioxide. The slurry composition exhibits good oxide selectivity in CMP polishing of patterned wafers with nitride and silicon patterns.
【技术实现步骤摘要】
用于浅沟槽隔离的水性二氧化硅浆料组合物和其使用方法本专利技术涉及水性化学机械平坦化(CMP)抛光组合物，所述组合物包含多个球形胶态二氧化硅颗粒或含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒或其混合物的一种或多种分散体，以及二烯丙基二甲基铵盐(如二烯丙基二甲基氯化铵(DADMAC))和二氧化硫的共聚物，其中组合物的pH为1到4.5。在前端(FEOL)半导体工艺中，浅沟槽隔离(STI)对集成电路制造中的栅极形成至关重要，如形成晶体管之前。在STI中，如原硅酸四乙酯(TEOS)或二氧化硅的电介质被过量地沉积在硅晶片中形成的开口中，例如通过氮化硅(SiN)屏障与集成电路的其余部分隔离的沟槽或隔离区。然后使用CMP工艺去除多余的电介质，产生其中电介质的预定图案镶嵌在硅晶片中的结构。用于STI的CMP需要从隔离区去除和平坦化二氧化硅覆盖层，从而产生与二氧化硅填充的沟槽共面的表面。在STI中，氮化硅膜表面必须清除二氧化硅或氧化硅，以使随后在后续处理中去除氮化物硬掩模。可接受的氧化物:氮化物去除速率比是必要的，以防止损伤下面的Si活性区并且提供过度抛光间距从而确保所有图案密度...
【技术保护点】
1.一种水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，所述组合物包含多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体和0.001到0.5重量％的二烯丙基二甲基铵盐的阳离子共聚物，其中所述组合物的pH为1到4.5，并且另外，其中所述细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的所述分散体的量在0.5到30重量％的范围内，所有重量均按所述组合物的总重量计。
【技术特征摘要】
2017.06.16 US 15/625075;2017.08.18 US 15/6807301.一种水性化学机械平坦化抛光(CMP抛光)组合物，所述组合物包含多个含有阳离子氮原子的细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体和0.001到0.5重量％的二烯丙基二甲基铵盐的阳离子共聚物，其中所述组合物的pH为1到4.5，并且另外，其中所述细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的所述分散体的量在0.5到30重量％的范围内，所有重量均按所述组合物的总重量计。2.根据权利要求1所述的水性CMP抛光组合物，其中所述细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体对于平均颗粒的最长尺寸与垂直于所述最长尺寸的直径的纵横比为1.8:1到3:1。3.根据权利要求1所述的水性CMP抛光组合物，其中按所述组合物中所述胶态二氧化硅颗粒的总固体重量计，所述细长、弯曲或球状胶态二氧化硅颗粒的分散体的量在80到99.9重量％的范围内。4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·考兹休克，D·莫斯利，N·K·彭塔，M·万哈尼赫姆，KA·K·雷迪，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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