一种半导体薄片背面加工工艺制造技术

本发明专利技术涉及电力电子技术领域，具体为一种用于半导体薄片加工的背面工艺。该工艺的具体实施方法为在减薄晶圆背面表面覆盖一层涂有光刻胶的膜，将膜、光刻胶、减薄晶圆三者贴紧后，使光刻胶均匀的涂在晶圆背面的表面上。该工艺相对于传统的半导体薄片晶圆背面工艺而言，不会由于背面涂胶的不均匀性而导致部分减薄晶圆面积的浪费，从而进一步的降低器件的生产成本，提高器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体薄片背面加工工艺
本专利技术涉及一种半导体薄片背面加工工艺。
技术介绍
在电力电子器件中，IGBT由于其较广的耐压范围，电流规格以及较快的开关速度，较低的通态损耗，从而得到了极其广泛的应用。随着IGBT技术的发展，IGBT芯片的厚度越来越薄，通常厚度小于400um的晶圆我们称之为减薄晶圆。此外在器件减薄后，某些新的技术还需要在薄片的背面进行光刻。例如，RC(逆导型)-IGBT，集电区浓度控制IGBT等新的器件结构。当前晶圆背面减薄的最新技术，其在对晶圆进行背面减薄时，将保留晶圆外围的边缘部分(约为3mm技术)。通常会在晶圆外围留边，利用晶片本身维持自身形状，可以大幅降低晶圆的翘曲现象，提高晶圆强度，降低晶圆的碎片风险。当对减薄晶圆进行背面光刻时，传统方法为直接在减薄晶圆背面表面涂胶，由于建薄晶圆的外围留边，将导致光刻胶在薄片晶圆背面表面外围处形成台阶，进一步的会使得光刻胶分布的不均匀。而光刻胶的不均匀，会导致离子注入的一致性下降，因此会损失部分晶圆外围面积，增加半导体器件的生产成本。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体薄片背面加工工艺。本专利技术通过以下技术方案得以实现。本专利技术提供的一种用于半导体薄片加工的背面工艺，其主要工艺顺序为：A.将光刻胶均匀涂抹在一种特殊的膜的表面。该膜的材料为树脂或其他聚合物材料B.将膜涂有光刻胶的一面对准晶圆，然后将膜覆盖在薄片晶圆背面表面。C.使涂有光刻胶的膜贴紧在薄片晶圆背面表面形成膜、光刻胶、薄片晶圆三层结构D.去除掉膜E.在薄片晶圆背面表面光刻图形为了降低半导体器件的生产成本，本专利技术先将光刻胶均匀涂在特殊的膜表面，再将膜与减薄晶圆背面表面贴紧，形成膜、光刻胶、晶圆背面表面三层结构，使得光刻胶能够均匀的涂在减薄晶圆的背面上，并在光刻胶腐蚀图形前，将膜取下。通过本专利技术工艺，减薄晶圆外围的光刻胶将不受台阶影响均匀的涂在整个减薄晶圆背面的表面，离子注入的一致性较高，损失的晶圆面积大大下降，使得半导体器件的生产成本降低。本专利技术的有益效果在于：附图说明图1是传统减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图；图2是常规减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图；。图3是常规减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图；图4是本专利技术减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图；图5是本专利技术减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图；图6是本专利技术减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图；图7是传统减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意图；图8是本专利技术减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意；图9是传统减薄后IGBT背面工艺后有效晶圆面积示意图；图10是本专利技术减薄后IGBT背面工艺后有效晶圆面积示意图。具体实施方式下面进一步描述本专利技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。实施例如图1所示是传统减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图。110为晶圆，虚线框选部分为磨轮。图2所示是常规减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图。图3所示是常规减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图。图4所示是本专利技术减薄后IGBT背面工艺中晶圆背面减薄示意图，与传统工艺一致。图5所示是本专利技术减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶工艺示意图。阴影部分即为本专利技术提出的特殊材质的膜。图6所示是本专利技术减薄后IGBT背面工艺中离子注入工艺示意图。图7所示是传统减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意图，虚线框选部分即为涂胶不均与处，可以看到涂胶不均匀面积占比较大。图8所示是本专利技术减薄后IGBT背面光刻工艺中涂胶不均匀处示意，虚线框选部分即为涂胶不均匀处，可以看到涂胶不均匀面积占比较大。图9所示是传统减薄后IGBT背面工艺后有效晶圆面积示意图，可以看到由于光刻胶的不均匀性导致的较差的离子注入一致性，损失的面积占比较大。图10所示是本专利技术减薄后IGBT背面工艺后有效晶圆面积示意图，可以看到由于光刻胶的均匀性导致的较高的离子注入一致性，损失的面积占比较小。上述实施例仅例示性说明本专利技术的原理及其功效，而非用于限制本专利技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利技术的权利要求所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体薄片背面加工工艺，其方法为，在减薄晶圆背面光刻涂胶时，先在一层膜的表面均匀喷涂光刻胶，再将覆盖有光刻胶的膜贴紧在减薄晶圆背面表面，形成减薄晶圆、光刻胶、膜三层结构。

【技术特征摘要】
1.一种半导体薄片背面加工工艺，其方法为，在减薄晶圆背面光刻涂胶时，先在一层膜的表面均匀喷涂光刻胶，再将覆盖有光刻胶的膜贴紧在减薄晶圆背面表面，形成减薄晶圆、光刻胶、膜三层结构。2.如权利要求1所述的半导体薄片背面加工工艺，其特征在于：所述光刻胶表面的膜的材料为树脂或其他任意聚合物材料。3.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟繁新，沈建华，石文坤，牟哲仪，王智，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：发明
国别省市：贵州,52