一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体制造技术

本发明专利技术公开了一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，包括铜带绕组、磁轭、接线柱和密封筒；铜带绕组设置在磁轭内，铜带绕组采用铜带绕制，铜带与铜带之间绝缘，由内向外设置多组铜带；每组铜带之间设置一定的间隙；铜带的两端设置空隙，空隙内放置绝缘件；在磁轭的内部设置入水口，在磁轭的外部设置出水口；绝缘件上开槽；在磁轭上引出第一接线柱，从出水口内引出第二接线柱；在磁轭的开口位置设置密封筒，密封筒与最内层铜带连接在一起。本发明专利技术的效果是：采用铁磁材料约束、引导磁场，磁场集中在有效区域，可大幅降低磁体体积和铜带绕组功耗，采用S形回转水路，铜带绕组可充分冷却。功耗低，体积小，冷却充分，可实现稳定直流工作。

【技术实现步骤摘要】
一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体
本专利技术的名称为一种1.8T大孔径低功耗强场直流磁体，能在常温下产生1.8T强磁场，可用于给回旋管或其它科学实验装置提供磁场。
技术介绍
回旋管是一种快波器件，克服了传统慢波器件工作时共振区域物理尺寸的限制。在毫米波段及太赫兹频段，回旋管是唯一能产生高功率连续波输出的器件。但是回旋管需要很强磁场才能工作，往往需要超导磁体。但超导磁体需维持低温，准备时间长、持续制冷功耗大，实用性受到很大限制。为了降低回旋管对磁场的要求，一种可行的方式是采用谐波回旋管。谐波回旋管所需的工作磁场与谐波次数成反比。为了保证足够的工作效率和稳定性，通常采用二次谐波回旋管。在W波段，二次谐回旋管所需工作磁场约为1.8T。已有方案采用常规铜带绕组供磁。常规铜带绕组磁场体积大，功耗大，超过100kW，难以有效冷却，通常只能以脉冲方式或短时间连续工作。
技术实现思路
本专利技术目的利用铁磁材料约束铜带绕组磁场，控制铜带绕组功耗，实现可用于连续波回旋管的1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，包括铜带绕组、磁轭、接线柱和密封筒；铜带绕组设置在磁轭内，铜带绕组采用铜带绕制，铜带与铜带之间绝缘，由内向外设置多个铜带绕组，铜带绕组串联在一起；相邻铜带绕组之间设置一定的间隙，间隙中放置支撑件；铜带绕组的两端设置空隙，空隙内放置绝缘件；在磁轭的内部设置入水口，在磁轭的外部设置出水口；绝缘件上开槽；在磁轭上引出第一接线柱，从出水口内引出第二接线柱；第一接线柱与磁轭固定在一起。第二接线柱与最外层铜带连接，并通过出水口引出。在磁轭的开口位置设置密封筒，密封筒与最内层铜带连接在一起。作为优选方式,沿一个圆周均匀设置多个出水口，沿另一个圆周均匀设置多个入水口。作为优选方式,出水口所在的圆周半径比入水口所在的圆周半径大。作为优选方式,密封筒采用无磁金属材料制成。作为优选方式,磁轭采用碳钢制成。作为优选方式,在铜带的两端的绝缘件中只有一端的绝缘件开槽，通过绝缘件上的槽和铜带间隙形成S形供水通道。作为优选方式,磁轭的截面形状为U形，其中磁轭开口处较小。作为优选方式,铜带与铜带之间采用耐高温的聚酰亚胺薄膜绝缘。本专利技术的有益效果是：采用铁磁材料约束、引导磁场，磁场集中在有效区域，可大幅降低磁体体积和铜带绕组功耗，采用S形回转水路，铜带绕组可充分冷却。功耗低，体积小，冷却充分，可实现稳定直流工作。附图说明图1为本专利技术截面结构示意图；图2为本专利技术铜带与绝缘层位置示意图；图3为本专利技术铜带绕组支撑与连接示意图；图4为本专利技术磁体冷却结构示意图；图5为本专利技术磁体接线示意图；图6为本专利技术出、入水口及接线柱结构示意图；图中，1-铜带绕组，2-磁轭，3-第一接线柱，4-第二接线柱，5-出水口，6-入水口，7-密封筒,8-绝缘层,9-铜带9,10-连接带,11-绕组A,12-绕组B,13-支撑件,14-绝缘件,15-绝缘槽,16-绝缘环。具体实施方式下面结合附图进一步详细描述本专利技术的技术方案，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述。如图1-6所示,一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，包括铜带绕组1、磁轭2、接线柱和密封筒7；铜带绕组1设置在磁轭2内，铜带绕组1采用铜带9绕制，铜带9与铜带9之间绝缘,即设置铜带9与铜带9之间设置绝缘层8，由内向外设置多个铜带绕组1，铜带绕组1串联在一起；铜带绕组1之间通过连接带10连接,连接带10也是铜质的。相邻铜带绕组1之间设置一定的间隙，间隙中放置支撑件13；如图3所示，绕组A11和绕组B12之间设置支撑件13；铜带绕组1的两端设置空隙，空隙内放置绝缘件14,绝缘件14由绝缘材料制成；空隙用于放置绝缘材料，以便与磁轭2绝缘；在磁轭2的内部设置入水口6，在磁轭2的外部设置出水口5；绝缘件14上开槽；在磁轭2上引出第一接线柱3，从出水口5内引出第二接线柱4；第一接线柱3与磁轭2固定在一起。第二接线柱4与最外层铜带9连接，并通过出水口5(若干出水口5中的一个出水口5)引出，第二接线柱4处设置绝缘环16。在磁轭2的开口位置设置密封筒7，密封筒7与最内层铜带9连接在一起，从而实现电流通路。在一个优选实施例中,沿一个圆周均匀设置多个出水口5，沿另一个圆周均匀设置多个入水口6，优选地，入水口6设置16个，出水口5设置12个。在一个优选实施例中,出水口5所在的圆周半径比入水口6所在的圆周半径大。在一个优选实施例中,密封筒7采用无磁金属材料制成。在一个优选实施例中,磁轭2采用碳钢制成。在一个优选实施例中,在铜带9的两端的绝缘件14中只有一端的绝缘件14部分开槽(即绝缘槽15)，通过绝缘件14上的槽和铜带9间隙形成S形供水通道，如图4所示。冷却水由内层进入，经S形回转水路流经所有铜带绕组1，最终从出水口5流出。在一个优选实施例中,磁轭2的截面形状为U形，其中磁轭2开口处较小。在一个优选实施例中,铜带9与铜带9之间采用耐高温的聚酰亚胺薄膜绝缘，形成绝缘层8。本专利技术采用磁轭2约束、引导磁场，S形回转冷却水路，功耗低，体积小，冷却充分，可实现稳定直流工作，可用于给回旋管或其它科学实验装置提供磁场。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，应当指出的是，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，其特征在于：包括铜带绕组、磁轭、接线柱和密封筒；铜带绕组设置在磁轭内，铜带绕组采用铜带绕制，铜带与铜带之间绝缘，由内向外设置多个铜带绕组，铜带绕组串联在一起；相邻铜带绕组之间设置一定的间隙，间隙中放置支撑件；铜带绕组的两端设置空隙，空隙内放置绝缘件；在磁轭的内部设置入水口，在磁轭的外部设置出水口；绝缘件上开槽；在磁轭上引出第一接线柱；第一接线柱与磁轭固定在一起；第二接线柱与最外层铜带连接，并通过出水口引出；在磁轭的开口位置设置密封筒，密封筒与最内层铜带连接在一起。

【技术特征摘要】
1.一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，其特征在于：包括铜带绕组、磁轭、接线柱和密封筒；铜带绕组设置在磁轭内，铜带绕组采用铜带绕制，铜带与铜带之间绝缘，由内向外设置多个铜带绕组，铜带绕组串联在一起；相邻铜带绕组之间设置一定的间隙，间隙中放置支撑件；铜带绕组的两端设置空隙，空隙内放置绝缘件；在磁轭的内部设置入水口，在磁轭的外部设置出水口；绝缘件上开槽；在磁轭上引出第一接线柱；第一接线柱与磁轭固定在一起；第二接线柱与最外层铜带连接，并通过出水口引出；在磁轭的开口位置设置密封筒，密封筒与最内层铜带连接在一起。2.根据权利要求1所述的一种1.8T紧凑型低功耗强场直流磁体，其特征在于：沿一个圆周均匀设置多个出水口，沿另一个圆周均匀设置多个入水口。3.根据权利要求2所述的一种1....

【专利技术属性】
技术研发人员：孙迪敏，卓婷婷，马国武，胡林林，张明君，黄麒力，陈洪斌，孟凡宝，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院应用电子学研究所，
类型：发明
国别省市：四川,51