阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括光电转换装置；所述光电转换装置用于将所述光电转换装置接收的光能转换为电能。本发明专利技术所提供的阵列基板及显示装置，能够提高显示器件的续航能力，提高显示器件的使用时间，降低显示器件的能源消耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前，显示器件的供电电池容量通常比较有限，显示器件的续航时间受到很大的限制。因此，如何提高显示器件的续航能力，以提高显示器件的使用时间成为目前亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一，提供一种阵列基板及显示装置。为实现上述目的，本专利技术提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括光电转换装置；所述光电转换装置用于将所述光电转换装置接收的光能转换为电能。可选地，所述光电转换装置包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层。可选地，所述第一电极为像素电极。可选地，所述光电转换层的材料为PIN型半导体材料。可选地，所述第二电极的材料为金属材料。可选地，所述光电转换装置为太阳能电池。为实现上述目的，本专利技术提供了一种显示装置，该显示装置包括相对设置的对置基板和上述的阵列基板。可选地，显示装置还包括胆甾相液晶层，所述胆甾相液晶层位于所述对置基板和所述阵列基板之间。可选地，显示装置还包括电能存储单元，所述电能存储单元与所述光电转换装置连接，所述电能存储单元用于存储所述光电转换装置转换出的电能。可选地，所述显示装置包括反射式显示装置。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为不同光电转换层的材料的吸收光谱分布示意图；图3为本专利技术实施例二提供的一种显示装置的结构示意图；图4为图3中的显示装置的俯视图；图5为图4中的光电转换装置的结构示意图；图6为图4中的公共电极的结构示意图；图7为胆甾相液晶层处于焦锥织构态的示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的阵列基板及显示装置进行详细描述。图1为本专利技术实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，该阵列基板包括衬底基板1和位于衬底基板1上的像素单元，像素单元包括光电转换装置2；光电转换装置2用于将光电转换装置2接收的光能转换为电能。本实施例中，当光线照射在光电转换装置2上时，光电转换装置2吸收光能，并将光能转换为电能。在实际应用中，通过电能存储单元，例如锂电池，对光电转换装置2转换出的电能进行存储，从而提高包括本实施例所提供的阵列基板的显示器件的续航能力，从而提高显示器件的使用时间。其中，所述光线可以是外界照射进显示器件中的任何光线(如太阳光)，还可以是实际应用中显示器件内部的产生的光线(如OLED显示器件中有机发光单元发出的光)。本实施例中，优选地，阵列基板应用于液晶显示器件。进一步优选地，阵列基板应用于反射式液晶显示器件。本实施例中，优选地，光电转换装置2为太阳能电池(PV)。通过将太阳能电池集成于阵列基板中，相较于传统的太阳能显示技术，能够增加太阳能电池的面积，提高光电转换效率，提升光电流(电能)。本实施例中，如图1所示，光电转换装置2包括第一电极21、第二电极22以及位于第一电极21和第二电极22之间的光电转换层23。本实施例中，优选地，如图1所示，第二电极22位于衬底基板1上，光电转换层23位于第二电极22的远离衬底基板1的一侧，第一电极21位于光电转换层23的远离衬底基板1的一侧。优选地，第一电极21为像素电极。其中，第一电极21的材料为透明导电材料，例如ITO；第二电极22的材料为金属材料，例如铝Al或者钼Mo。本实施例中，第一电极21为像素电极，换言之，第一电极21除了作为光电转换装置2的电极，还复用为阵列基板的像素电极。通过将像素电极作为光电转换装置2的电极，从而有效防止电场干扰，保证了显示器件的正常显示，同时节省了阵列基板的Mask制作工艺，降低了成本。本实施例中，第一电极21作为光电转换装置2的电极时，第一电极21为正电极，第二电极22为负电极。本实施例中，优选地，光电转换层23的材料为PIN型半导体材料，例如，非晶硅(如a-Si)或者单晶硅(如c-Si)材料。其中，光电转换层23能够吸收传输至其上的光子产生电子-空穴，从而形成光电流(电能)。具体地，光电转换层23包括P型半导体层、本征半导体层(I型半导体层)和N型半导体层，其中，I型半导体层位于P型半导体层和N型半导体层之间。其中，P型半导体层连接正电极即第一电极21，N型半导体层连接负电极即第二电极22，从而通过第一电极21和第二电极22将产生的光电流导出。本实施例中，光电转换层23的材料还可以为PN型半导体材料，例如，CdTe、m-Si或者CIGS。图2为不同光电转换层的材料的吸收光谱分布示意图，如图2所示，不同光电转换层23的材料的对不同波长的光的吸收能力差异较大，其中，a-Si对可见光的波长范围内的光吸收系数比较高，而CdTe、m-Si或者CIGS对红外光的波长范围的光吸收系数比较高。本实施例对于光电转换层23的材料的选择不作任何限制，只要能够用于制作太阳能电池即可。本实施例中，阵列基板还包括(图中未示出)栅线、数据线(图中未示出)，其中，所述栅线和所述数据线交叉限定出所述像素单元，像素单元的数量为多个。本实施例中，阵列基板可以采用无源矩阵(PassiveMatrix，简称：PM)驱动方式驱动，也可以采用有源矩阵(ActiveMatrix，简称：AM)驱动方式驱动。当采用AM驱动方式驱动时，阵列基板还包括位于像素单元中的薄膜晶体管TFT(图中未示出)，由于第一电极21为像素电极，因此像素单元中，第一电极21还与对应的薄膜晶体管的源漏极连接。本实施例中，优选地，阵列基板采用无源矩阵(PassiveMatrix，简称：PM)驱动方式。本实施例所提供的阵列基板的技术方案中，阵列基板包括衬底基板和位于衬底基板上的像素单元，像素单元包括光电转换装置；光电转换装置用于将光电转换装置接收的光能转换为电能。本实施例将光电转换装置集成于阵列基板中，通过光电转换装置将传输至光电转换装置上的光能转换为电能，在实际应用中可将光电转换装置所转换出的电能存储于电能存储单元(例如锂电池)中为显示器件供电，从而提高了显示器件的续航能力，提高了显示器件的使用时间，降低了显示器件的能源消耗。图3为本专利技术实施例二提供的一种显示装置的结构示意图，如图3所示，该显示装置包括相对设置的对置基板和阵列基板。其中，对置基板包括第二衬底基板3和位于第二衬底基板3上的公共电极4，所述阵列基板包括上述实施例一所提供的阵列基板，关于该阵列基板的具体描述可参见上述实施例一，此处不再赘述。图4为图3中的显示装置的俯视图，图5为图4中的光电转换装置的结构示意图，图6为图4中的公共电极的结构示意图，如图4至图6所示，本实施例中，优选地，第一电极21(像素电极)为条状电极，公共电极4为条状电极，在显示区域中，公共电极4和第一电极21交叉设置，公共电极4与第一电极21的交叉区域位于像素单元中。结合图4可知，多个像素单元沿行列方向排列。因此，如图4所示，本实施例中，沿列方向排列的多个像素单元中，对应的多个光电转换装置2同样沿所在像素单元的列方向设置，且该多个光电转换装置2一体形成。本实施例中，如图3所示，优选地，显示装置还包括胆甾相液晶层5，胆甾相液晶层5位于对置基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括光电转换装置；所述光电转换装置用于将所述光电转换装置接收的光能转换为电能。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和位于所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括光电转换装置；所述光电转换装置用于将所述光电转换装置接收的光能转换为电能。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换装置包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换层的材料为PIN型半导体材料。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极的材料为金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾玉娥，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11