有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置，该方法包括：获取待检测的器件的图像数据，器件包括有图形晶圆或掩模版，图像数据用于反映器件的光照区域的电磁场分布情况；将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。本发明专利技术实施例由于通过图像数据的方式检测有图形晶圆和掩模版的缺陷，相比于探测电磁扰动来检测有图形晶圆和掩模版的缺陷的方式，较少的实验样本来实现仿真数据的逼近，且利用网络模型处理多维非线性问题的能力，能够显著提高缺陷检测的灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置
本专利技术实施例涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。现有技术中，有图形晶圆和掩模版缺陷的在线检测技术主要通过对标准样品仿真获得的仿真数据或实验数据库中数据作为参考，与实验数据进行比对分析的方法提取定位缺陷，该方法能实现10nm及以上的缺陷检测灵敏度。但是，7nm制程芯片制造已经布线并开始进入量产，随着缺陷尺寸的进一步减小，缺陷引起探测系统的电磁场扰动也相应变小，扰动越小就越难检测到，而现有技术的缺陷在线检测系统已无法识别10nm以下的缺陷弱信号。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置。根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法，该方法包括：获取待检测的器件的图像数据，器件包括有图形晶圆或掩模版，图像数据用于反映器件的光照区域的电磁场分布情况；将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。根据本专利技术实施例第二方面，提供了一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测装置，该装置包括：获取模块，用于获取待检测的器件的图像数据，器件包括有图形晶圆或掩模版，图像数据用于反映器件的光照区域的电磁场分布情况；检测模块，用于将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。根据本专利技术实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行程序时实现如第一方面的各种可能的实现方式中任一种可能的实现方式所提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法。根据本专利技术实施例的第四方面，提供了一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如第一方面的各种可能的实现方式中任一种可能的实现方式所提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法。本专利技术实施例提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置，通过将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；由于通过图像数据的方式检测有图形晶圆和掩模版的缺陷，相比于探测电磁扰动来检测有图形晶圆和掩模版的缺陷的方式，较少的实验样本来实现仿真数据的逼近，适用于10nm以下制程，且利用网络模型处理多维非线性问题的能力，能够显著提高缺陷检测的灵敏度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的电子设备的实体结构示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法的流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。当前，7nm制程芯片制造已经布线开始进入量产，这对相应制程的缺陷在线检测技术提出巨大挑战。目前最先进的缺陷在线检测水平依然为10nm及以上，还没有现有技术能实现满足7nm制程需求的缺陷在线检测技术。而随着缺陷尺寸的进一步减小，缺陷引起探测系统的电磁场扰动也相应变小，传统的缺陷在线检测系统已无法识别10nm以下的缺陷弱信号。因此，为了提高缺陷检测灵敏度及芯片良品率，需要发展满足10nm以下检测灵敏度的缺陷在线检测方法。基于此，本专利技术实施例提供一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法。参见图1，该方法包括：101、获取待检测的器件的图像数据，器件包括有图形晶圆或掩模版，图像数据用于反映器件的光照区域的电磁场分布情况。其中，有图形晶圆是指设置有图形结构的晶圆。掩模版(mask)简称掩模，是光刻工艺不可缺少的部件；掩模上承载有设计图形(即图形结构)，光线透过它，可以把设计图形透射在光刻胶上。因此，有图形晶圆及掩模版上都设置有图形结构，该图形结构包括周期性和非周期性图形结构。应当说明的是，本专利技术实施例提供的缺陷检测方法是对有图形晶圆及掩模版的缺陷进行检测，也即对有图形晶圆或掩模版上的图形结构上所存在的缺陷进行检测。因此，可以理解的是，该方法同样适用于对其他的与有图形晶圆及掩模版类似的器件上的图形结构的缺陷进行检测，本专利技术实施例对其他器件的具体类型不作限定。在步骤101中，本专利技术实施例对获取待检测的器件的图像数据的方式不作限定，例如可以通过将激光作用到有图形晶圆或掩模版上的方式获得图像数据。102、将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。在步骤102前，可训练获得缺陷检测模型。应当说明的是，针对不同类型的器件(器件的类型包括图形晶圆和掩模版)的图像数据应分别训练不同类型的缺陷检测模型。例如，针对有图形晶圆的图像数据训练获得第一缺陷检测模型，而针对掩模版的图像数据训练获得第二缺陷检测模型。以下以针对有图形晶圆的图像模型的缺陷检测为例进行说明。在训练模型前，可预先采集获得有图形晶圆的样本图像数据，然后确定该样本图像数据对应的样本缺陷类型。在训练过程中，将样本图像数据作为模型的输入、将样本缺陷类型作为模型的输出(即样本图像数据的标签)对模型进行训练，训练完成后获得缺陷检测模型。本专利技术实施例对网络模型的具体类型和结构不作限定。在步骤102中，将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，即例如将有图形晶圆的图像数据输入至上述第一缺陷检测模型，而将掩模版的图像数据输入至上述第二缺陷检测模型。输入图像数据后，能够获得缺陷检测模型输出的缺陷检测结果。本专利技术实施例提供的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法，通过将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型，输出与器件对应的缺陷检测结果；由于通过图像数据的方式检测有图形晶圆和掩模版的缺陷，相比于探测电磁扰动来检测有图形晶圆和掩模版的缺陷的方式，较少的实验样本来实现仿真数据的逼近，且利用网络模型处理多维非线性问题的能力，能够显著提高缺陷检测的灵敏度。基于上述实施例的内容，参见图4，将图像数据输入至与器件对应的缺陷检测模型之前，作为一种可选实施例，提供一种训练获得缺陷检测模型的方法，包括但不限于：仿真获得样本图像数据后，获得与样本图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取待检测的器件的图像数据，所述器件包括有图形晶圆或掩模版，所述图像数据用于反映所述器件的光照区域的电磁场分布情况；将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型，输出与所述器件对应的缺陷检测结果；所述缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与所述样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。

【技术特征摘要】
1.一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法，其特征在于，包括：获取待检测的器件的图像数据，所述器件包括有图形晶圆或掩模版，所述图像数据用于反映所述器件的光照区域的电磁场分布情况；将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型，输出与所述器件对应的缺陷检测结果；所述缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与所述样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型之前，还包括：仿真获得所述样本图像数据后，获得与所述样本图像数据对应的所述器件的真实样品测量数据；根据所述真实样品测量数据，确定与所述样本图像数据对应的所述样本缺陷类型；采用所述样本图像数据及对应的所述样本缺陷类型进行模型训练，训练完成后获得所述缺陷检测模型。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用所述样本图像数据及对应的所述样本缺陷类型进行模型训练之前，还包括：在所述样本图像数据中叠加噪声，所述噪声是在对所述真实样品进行测量的过程中所引入的噪声。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述仿真获得所述样本图像数据，包括：采用时域有限差分法仿真激光照射至所述器件上的过程，并通过改变所述器件上的图形结构、缺陷的尺寸、缺陷的类型及缺陷的位置，获得多种所述样本图像数据；多种所述样本图像数据包括：不存在缺陷的样本图像数据、存在各种类型缺陷的样本图像数据以及在所述光照区域内的不同位置存在缺陷的样本图像数据。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立拓，周维虎，陈小梅，李冠楠，纪荣祎，石俊凯，
申请(专利权)人：中国科学院光电研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11