【技术实现步骤摘要】
有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置
本专利技术实施例涉及集成电路领域,更具体地,涉及一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。现有技术中,有图形晶圆和掩模版缺陷的在线检测技术主要通过对标准样品仿真获得的仿真数据或实验数据库中数据作为参考,与实验数据进行比对分析的方法提取定位缺陷,该方法能实现10nm及以上的缺陷检测灵敏度。但是,7nm制程芯片制造已经布线并开始进入量产,随着缺陷尺寸的进一步减小,缺陷引起探测系统的电磁场扰动也相应变小,扰动越小就越难检测到,而现有技术的缺陷在线检测系统已无法识别10nm以下的缺陷弱信号。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术实施例提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法及装置。根据本专利技术实施例的第一方面,提供一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法,该方法包括:获取待检测的器件的图像数据,器件包括有图形晶圆或掩模版,图像数据用于 ...
【技术保护点】
1.一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法,其特征在于,包括:获取待检测的器件的图像数据,所述器件包括有图形晶圆或掩模版,所述图像数据用于反映所述器件的光照区域的电磁场分布情况;将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型,输出与所述器件对应的缺陷检测结果;所述缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与所述样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。
【技术特征摘要】
1.一种有图形晶圆及掩模版的缺陷检测方法,其特征在于,包括:获取待检测的器件的图像数据,所述器件包括有图形晶圆或掩模版,所述图像数据用于反映所述器件的光照区域的电磁场分布情况;将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型,输出与所述器件对应的缺陷检测结果;所述缺陷检测模型是基于样本图像数据以及预先确定的与所述样本图像数据对应的样本缺陷类型进行训练后获得的。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述图像数据输入至与所述器件对应的缺陷检测模型之前,还包括:仿真获得所述样本图像数据后,获得与所述样本图像数据对应的所述器件的真实样品测量数据;根据所述真实样品测量数据,确定与所述样本图像数据对应的所述样本缺陷类型;采用所述样本图像数据及对应的所述样本缺陷类型进行模型训练,训练完成后获得所述缺陷检测模型。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述采用所述样本图像数据及对应的所述样本缺陷类型进行模型训练之前,还包括:在所述样本图像数据中叠加噪声,所述噪声是在对所述真实样品进行测量的过程中所引入的噪声。4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述仿真获得所述样本图像数据,包括:采用时域有限差分法仿真激光照射至所述器件上的过程,并通过改变所述器件上的图形结构、缺陷的尺寸、缺陷的类型及缺陷的位置,获得多种所述样本图像数据;多种所述样本图像数据包括:不存在缺陷的样本图像数据、存在各种类型缺陷的样本图像数据以及在所述光照区域内的不同位置存在缺陷的样本图像数据。5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘立拓,周维虎,陈小梅,李冠楠,纪荣祎,石俊凯,
申请(专利权)人:中国科学院光电研究院,
类型:发明
国别省市:北京,11
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