一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法技术

技术编号:20813212 阅读:120 留言:0更新日期:2019-04-10 04:31
本发明专利技术涉及一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将三氯化铟超声溶解于过氧化氢溶液形成澄清透明的溶液,并将所得溶液与五氧化二钒分散溶解于异丁醇,最终得到悬浊液A;在一定的温度下加热搅拌,同时向悬浊液A中加入盐酸、氧化锌和草酸,通入氮气,在氮气的氛围中搅拌反应10h以上,得到溶胶B;经室温密封陈化1天以上,得到溶胶‑凝胶前驱液;S2:将溶胶‑凝胶前驱液旋涂于清洁干燥的基底表面,烘干去除多余的异丁醇溶剂;S3:重复步骤S2五次以上,得到预沉积前驱体薄膜;然后通过真空退火处理,得到所述In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法
本专利技术方法涉及一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,属于二氧化钒掺杂材料领域。
技术介绍
二氧化钒是(VO2)一种智能热致变色材料;在68℃附近时,二氧化钒具有可逆的金属一绝缘转变(MTT),这种转变是一个一级结构相转变的过程,其晶体结构从低温的单斜M相转变到高温四方金红石R相,转变过程中电导率、红外区域透过率和反射率均发生突变;在半导体相,声子能量低于带隙,VO2表现出高的红外光透过率;相反,金属相则表现出低的红外光透过率;其相变响应速度极快,可达几十fs量级,且外加电场和应力场可以实现对MTT相变的调控,这些优异的性能使VO2在激光防护、智能窗、热/光电开关、多场调控电子器件、光存储器件等领域具有广泛的应用前景。二氧化钒块体在经过多次相变后,由于相变过程中产生的应力会导致材料的晶体尺寸发生破裂或者变成碎块;而单晶二氧化钒薄膜在多次相变后依然能够稳定存在,因而在实际应用中多为单晶的二氧化钒薄膜。对于在智能窗等应用方面而言,VO2的相变温度68℃显然较高,难以做到有效调控室内温度,因而如何对VO2相变温度及其红外光学特性进行调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将三氯化铟超声溶解于过氧化氢溶液形成澄清透明的溶液,并将所得溶液与五氧化二钒分散溶解于异丁醇,最终得到悬浊液A;在一定的温度下加热搅拌,同时向悬浊液A中加入盐酸、氧化锌和草酸,通入氮气,在氮气的氛围中搅拌反应10h以上,得到溶胶B;经室温密封陈化1天以上,得到溶胶‑凝胶前驱液;S2:将溶胶‑凝胶前驱液旋涂于清洁干燥的基底表面,烘干去除多余的异丁醇溶剂;S3:重复步骤S2五次以上,得到预沉积前驱体薄膜;然后通过真空退火处理,得到所述In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将三氯化铟超声溶解于过氧化氢溶液形成澄清透明的溶液,并将所得溶液与五氧化二钒分散溶解于异丁醇,最终得到悬浊液A;在一定的温度下加热搅拌,同时向悬浊液A中加入盐酸、氧化锌和草酸,通入氮气,在氮气的氛围中搅拌反应10h以上,得到溶胶B;经室温密封陈化1天以上,得到溶胶-凝胶前驱液;S2:将溶胶-凝胶前驱液旋涂于清洁干燥的基底表面,烘干去除多余的异丁醇溶剂;S3:重复步骤S2五次以上,得到预沉积前驱体薄膜;然后通过真空退火处理,得到所述In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜。2.如权利要求1所述的一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于:所述基底为Al2O3。3.如权利要求1所述的一种In与Zn共掺杂的二氧化钒薄膜的制备方法,其特征在于:所述的超声溶解在室温下操作,反应60min以上。4.如权利要求1所述的一种In...

【专利技术属性】
技术研发人员:王曼张绍辉
申请(专利权)人:东莞理工学院
类型:发明
国别省市:广东,44

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