一种像素结构及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及其制作方法、显示面板，用于降低低灰阶色偏，包括：相邻设置的第一子像素和第二子像素；第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与第一电极电性相反的第二电极；第一传输层用于调节第一子像素的光学腔长；第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与第三电极电性相反的第四电极；第二传输层用于调节第二子像素的光学腔长；第一传输层和第二传输层之间部分或全部隔离。将第一传输层和第二传输层部分或全部隔离，能够减少在传输层中发生横向串扰的载流子数量，从而降低了横向串扰电流，进而降低了像素结构的低灰阶色偏。

A Pixel Structure, Its Making Method and Display Panel

The invention discloses a pixel structure, a manufacturing method and a display panel for reducing the color deviation of low gray scale, including: the first sub-pixel and the second sub-pixel adjacent to each other; the first sub-pixel includes the first electrode, the first transmission layer, the first light emitting layer and the second electrode opposite to the first electrode in sequence; and the first transmission layer is used to adjust the light of the first sub-pixel. The second sub-pixel includes the third electrode, the second transmission layer, the second light-emitting layer and the fourth electrode opposite to the third electrode, which are stacked in turn; the second transmission layer is used to adjust the optical cavity length of the second sub-pixel; and the first transmission layer and the second transmission layer are partially or totally isolated. Partial or total isolation of the first and second transport layers can reduce the number of carriers in the transport layer, thereby reducing the cross-talk current, and thus reducing the low-gray-scale color bias of the pixel structure.

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种像素结构及其制作方法、显示面板。
技术介绍
目前常见的显示面板多采用红绿蓝(RedGreenBlue，RGB)三色发光像素结构，该结构在制作过程中会使用到精细掩膜板。随着显示面板的彩色化、高分辨率和大面积化，精细掩膜板直接影响着显示面板的画质，所以对精细掩膜板尺寸精度及定位精度提出了更加苛刻的要求。然而，在所使用的精细掩膜板的开口率过大，像素每英寸(PixelsPerInch，PPI)过高时，会使得各个子像素之间距离过近，致使所制作的各子像素之间出现有机膜层互相交叠的现象，其中，子像素的有机膜层包括构成子像素的层叠设置的传输层、发光层、注入层等。图1为一种现有的像素结构俯视图，如图1所示，各子像素之间的有机膜层互相交叠连成整张膜层，这种结构上的误差会使得显示面板在工作过程中，各子像素间产生横向串扰电流，进而造成低灰阶色偏。所谓的低灰阶色偏，即是单一点亮一个子像素时，另外两个颜色的子像素可能被串扰电流或TFT漏电点亮，造成单色不纯，从而无法配出需要的颜色，在低灰阶下，子像素这种由于横向串扰电流造成的亮度偏差便本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：相邻设置的第一子像素和第二子像素；所述第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与所述第一电极电性相反的第二电极；所述第一传输层用于调节所述第一子像素的光学腔长；所述第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与所述第三电极电性相反的第四电极；所述第二传输层用于调节所述第二子像素的光学腔长；所述第一传输层和所述第二传输层之间部分或全部隔离。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：相邻设置的第一子像素和第二子像素；所述第一子像素包括依次层叠设置的第一电极、第一传输层、第一发光层和与所述第一电极电性相反的第二电极；所述第一传输层用于调节所述第一子像素的光学腔长；所述第二子像素包括依次层叠设置的第三电极、第二传输层、第二发光层和与所述第三电极电性相反的第四电极；所述第二传输层用于调节所述第二子像素的光学腔长；所述第一传输层和所述第二传输层之间部分或全部隔离。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素还包括：位于所述第一传输层和所述第一电极之间的第一注入层；所述第二子像素还包括：位于所述第二传输层和所述第三电极之间的第二注入层；所述第一注入层和所述第二注入层之间相互隔离。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素还包括：位于所述第一传输层和所述第一发光层之间的第一阻挡层；所述第二子像素还包括：位于所述第二传输层和所述第二发光层之间的第二阻挡层；所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间相互隔离。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素还包括：位于所述第一发光层和所述第二电极之间的第三传输层；所述第二子像素还包括：位于所述第二发光层和所述第四电极之间的第四传输层；所述第三传输层和所述第四传输层之间相互隔离；且，所述第三传输层与所述第一传输层掺杂类型相反，所述第四传输层和所述第二传输层的掺杂类型相反。5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素还包括：设置于所述第二电极表面的光取出层；所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贵芳，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31