【技术实现步骤摘要】
胶体量子点薄膜图案化方法
本专利技术涉及材料
，尤其涉及一种胶体量子点薄膜图案化方法。
技术介绍
量子点材料是纳米科学与纳米
的重要材料，由于其具备优良的光物理性质，如发光波长的可见光波段协调、窄的半峰宽、高色域等，使得量子点材料在发光二极管、高清显示等领域具有巨大的应用潜力，量子点显示技术是理想的下一代高清显示技术。虽然传统的Cd基量子点已经部分商用，但是其制备成本高、像素点制备工艺复杂，制约了其大规模推广。钙钛矿量子点是一种新型纳米材料，由于其优异的光电学性质，如量子产率高、发光波长覆盖可见光波段及高色域等，是理想的发光材料。钙钛矿量子点的图案化是实现该材料在发光二极管、VR（VirtualReality，虚拟现实）眼镜和高清背光显示的关键技术。在现有技术中，量子点薄膜图案化的方法工艺都较为复杂，如喷墨打印技术，对打印头的损害大的同时对量子点溶液的要求高，不利于大规模应用。虽然光刻技术能较好的实现电子点薄膜的图案化，但是其图案化过程中的步骤繁杂，物料损耗大，成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种胶体量子点薄膜图案化方法，有效解决了现有技术中...
【技术保护点】
1.一种胶体量子点薄膜图案化方法，其特征在于，所述图案化方法中包括：S1 制备胶体量子点，所述胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且所述有机配体碳链中含有不饱和键；S2 将所述胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3 在所述胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，所述掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4 将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5 采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化。
【技术特征摘要】
1.一种胶体量子点薄膜图案化方法，其特征在于，所述图案化方法中包括：S1制备胶体量子点，所述胶体量子点为表面含有有机配体的钙钛矿型卤化物量子点，且所述有机配体碳链中含有不饱和键；S2将所述胶体量子点涂敷于基底上，形成胶体量子点薄膜；S3在所述胶体量子点薄膜表面设置一预先配置的掩膜结构，所述掩膜结构中包括通孔区和掩膜区；S4将步骤S3中的结构置于等离子体设备中，使用等离子体对胶体量子点进行辐照，完成对通孔区对应的胶体量子点的改性；S5采用化学腐蚀的方法去除掩膜区对应的胶体量子点，完成胶体量子点薄膜的图案化。2.如权利要求1所述的图案化方法，其特征在于，在步骤S1中，所述不饱和建为碳碳双...
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