一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其包括以下步骤：1)在整刀的硅片中随机挑选出单个硅片作为分析样品；2)将分析样品制备端面垂直固定在夹具上；3)通过电镜观察端面的片厚和原始表面形态区域，并测量片厚为H，原始表面形态区域的厚度为h1,若H﹥h1,则确定是因零位的位置移动引起的对刀硅片厚度不均。上述金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法能够快速分析确定引起硅片厚度不均的原因，提高了异常处理效率，在一定程度上有利于生产效率的提高。

A Rapid Method for Determining the Causes of Uneven Thickness of Silicon Wafers Cut by Diamond

The invention discloses a rapid determination method for the reasons of uneven thickness of silicon wafers cut by diamond, which comprises the following steps: 1) random selection of a single silicon wafer as an analysis sample in the whole silicon wafer; 2) perpendicular fixture of the prepared end face of the analysis sample on the fixture; 3) observing the thickness of the end face and the original surface morphology area through an electron microscope, and measuring the thickness of the wafer as H, the original surface morphology area. Thickness is h1. If H > h1, it is determined that the thickness of the silicon wafer is uneven due to the movement of zero position. The rapid determination method for the reasons of uneven thickness of silicon wafers in diamond cutting can quickly analyze and determine the causes of uneven thickness of silicon wafers, improve the efficiency of abnormal treatment, and to a certain extent, improve the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法
本专利技术属于太阳能硅片切割技术，尤其是涉及一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法。
技术介绍
多线切割机应用金刚线实现了高速切割，切割进给速度可以提高到原来的2倍，并且采用水参与切割加少量的水基切割液，可回收再利用，环保而且能耗低，极大地降低切割成本，真正实现了高效环保生产。但金刚线切割过程经常引起的硅片厚度不均等异常问题，客户也经常投诉片厚不均问题。造成切割硅片片厚不均的原因可能是因小锭端面与金刚线线网面存在倾斜角，初始切割时，小锭一端角出现先进入线网中被切割，即零位的位置移动。目前还没有因该原因造成硅片厚度不均的快速确定方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，以解决现有技术中硅片厚度不均时无法快速确定造成原因的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其包括以下步骤：1)在整刀的硅片中随机挑选出单个硅片作为分析样品；2)将分析样品制备端面垂直固定在夹具上；3)通过电镜观察端面的片厚和原始表面形态区域，并测量片厚为H，原始表面形态区域的厚度为h1,若H﹥h1,则确定是因零位的位置移动引起的对刀硅片厚度不均。特别地，所述步骤3)中原始表面形态区域的判别标准为：端面为倾斜的磨抛痕的区域。特别地，所述步骤3)中还需通过电镜观察端面的损伤区域，并测量损伤区域的厚度为h2，h1+h2＝H。特别地，所述步骤3)中损伤区域的判别标准为：端面为横向为犁痕的区域，该区域为钢线与硅锭形成的摩擦损伤。本专利技术的有益效果为，与现有技术相比所述金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法能够快速分析确定引起硅片厚度不均的原因，提高了异常处理效率，在一定程度上有利于生产效率的提高。附图说明图1是本专利技术具体实施方式提供的金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法的硅片电镜的端面图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。请参阅图1所示，图1是本专利技术具体实施方式提供的金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法的硅片电镜端面图。本实施例中，一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其包括以下步骤：步骤一：在整刀的硅片中随机挑选出单个硅片作为分析样品；步骤二：将分析样品制备端面垂直固定在夹具上；步骤三：通过电镜观察端面的片厚和原始表面形态区域，并测量片厚为H＝176.6微米，原始表面形态区域的厚度为h1＝118.6微米,端面为倾斜的磨抛痕的区域为原始表面形态区域，端面为横向为犁痕的区域为损伤区域，除去原始表面形态区域其余区域为损伤区域，且损伤区域为钢线与硅锭形成的摩擦损伤，因H﹥h1,即存在则确定是因零位的位置移动引起的对刀硅片厚度不均。以上实施例只是阐述了本专利技术的基本原理和特性，本专利技术不受上述事例限制，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还有各种变化和改变，这些变化和改变都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其特征在于，其包括以下步骤：1)在整刀的硅片中随机挑选出单个硅片作为分析样品；2)将分析样品制备端面垂直固定在夹具上；3)通过电镜观察端面的片厚和原始表面形态区域，并测量片厚为H，原始表面形态区域的厚度为h1,若H﹥h1,则确定是因零位的位置移动引起的对刀硅片厚度不均。

【技术特征摘要】
1.一种金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其特征在于，其包括以下步骤：1)在整刀的硅片中随机挑选出单个硅片作为分析样品；2)将分析样品制备端面垂直固定在夹具上；3)通过电镜观察端面的片厚和原始表面形态区域，并测量片厚为H，原始表面形态区域的厚度为h1,若H﹥h1,则确定是因零位的位置移动引起的对刀硅片厚度不均。2.根据权利要求1所述的金刚石切割硅片片厚不均原因快速确定方法，其特征在于，所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱平，何晋康，
申请(专利权)人：高佳太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32