The invention relates to the technical field of trace detection, in particular to the pretreatment method and device for trace impurity analysis in electronic grade tetraethyl orthosilicate. The pretreatment method is to use high purity HF to treat the sample to be measured in electronic grade tetraethyl orthosilicate, and add high purity nitric acid to the sample after gas release. The pretreatment device comprises a sample processing chamber and an exhaust device, and the exhaust device is connected to the sample. The top of the management room. The device has the advantages of simple structure, fast sample processing speed, simple operation, small interference of analysis results, good reproducibility and low detection limit.
【技术实现步骤摘要】
电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置
本专利技术涉及痕量检测
，具体涉及电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置。
技术介绍
正硅酸乙酯(英文简称TEOS)也称四乙氧基硅烷、原硅酸四乙酯、硅酸乙酯，是大规模集成电路芯片制作过程中关键的原材料之一，在硅晶圆上生成氧化硅薄膜，以隔离芯片内的电路层起钝化保护作用。随着超高速、超高频、高功率集成电路器件的发展，芯片的加工尺寸已进入深亚微米、百纳米及纳米级，对与之配套的化学品杂质含量要求需由ppb级向ppt级提升,接近分析仪器的下限。因此，在工业上，能快速、准确分析正硅酸乙酯中痕量杂质对于行业的发展十分重要。目前，行业内普遍使用ICP-MS检测电子化学品中的痕量杂质，这种方法具有检测极限低，快速准确，被广泛使用。但对于不同种类的电子化学品，在进入ICP-MS检测前，样品的前处理方法直接影响检测极限值。当样品中杂质含量为ppt痕量级时，样品中固体溶解量将对基体造成干扰，ICP-MS的检出限会变差很多倍，一些普通的轻元素(Si、Ca、K等)在ICP-MS中有严重的干扰，也将恶化其检出限。在SEMI(se...
【技术保护点】
1.电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，加热恒温处理，待气体释放完毕后，再加入高纯硝酸恒温加热处理。
【技术特征摘要】
1.电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，加热恒温处理，待气体释放完毕后，再加入高纯硝酸恒温加热处理。2.如权利要求1所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：1)取电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HF按质量体积比(5-10):1的比例混合均匀，待待测样品为粘稠状物后，再补加高纯HF，至电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HF的质量体积比1:(1-1.5)；2)将步骤1)所得物经加热恒温处理，待气体排放完毕，按电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HNO3的质量体积比为(4.5-5.5):1加入高纯HNO3，加热恒温处理至液体挥发完全后，按高纯HNO3与电子级正硅酸乙酯待测样品的质量比为(4.5-5.5):1加入高纯HNO3，定容，上机分析。3.如权利要求1或2所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，所述高纯HF，其纯度≥99.9999999％。4.如权利要求1或2所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝飘，郭之军，蒋飚，陈文强，吴昌明，向贵贞，刘帮伟，宋同彬，
申请(专利权)人：贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52
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