【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高纯半导体掺杂物,尤其涉及一种电子级二氯二氧化钼的提纯方法。
技术介绍
1、二氯二氧化钼应用领域广泛,其中5n级(杂质含量不高于0.001%)以上纯度可作为前驱体用于半导体、超高温陶瓷、大功率led、原子反应堆等领域。近年来,在下游市场快速发展带动下,二氯二氧化钼市场需求不断增加,需求空间较为广阔,但我国的高纯二氯二氧化钼(电子级二氯二氧化钼)的产量和技术都存在明显短板。
2、现有技术中的提纯方法,使用的原料二氧化钼的价格较高,或需减压反应,且加热反应的温 度非常高,有较高的能耗,增加生产成本,不利于工业化生产。
3、而目前的现有技术中,还没有相关技术能解决上述问题,目前需要一种提纯效果好、多方法综合除杂、可工业化规模应用、质量稳定、得率高的电子级二氯二氧化钼的提纯方法。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供一种提纯效果好、多方法综合除杂、可工业化规模应用、质量稳定、得率高、杂质成分简单易分离的一种电子级二氯二氧化钼的提纯方法。
2、为
...【技术保护点】
1.一种电子级二氯二氧化钼的提纯方法,其特征在于,该提纯方法包括以下阶段:
【技术特征摘要】
1.一种电子级二氯二氧化钼的提纯方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋飚,郭之军,欧才彰,宋鸿睿,彭小敏,程群,赵国庆,陈松华,
申请(专利权)人:贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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