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本发明涉及痕量检测技术领域，具体涉及电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置，前处理方法是先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，待气体释放完毕后，加入高纯硝酸处理；前处理装置包括样品处理室和排风装置，排风装置连接于样品处理室顶...
该专利属于贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司授权不得商用。

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